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英特尔投资建设其在亚洲首家独资芯片制造厂的消息终于水落石出。昨日，英特尔公司总裁兼首席执行官保罗·欧德宁宣布在大连投资25 亿美元建立一个生产300毫米(12英寸)晶圆的工厂。根据协议，工厂将于今年年底动工，2010上半年投产。这是英特尔在亚洲成立的首个300毫米晶圆工厂，也是全球第八个300毫米晶圆厂。
据了解，300毫米芯片在世界范围内属于十分先进的技术，英特尔此前在全球也仅有7家生产工厂，其中有5家设在美国本土，一家在爱尔兰，一家在以色列。大连工厂将是英特尔在亚洲的第一个芯片生产基地。
这个总投资额达到25亿美元的项目,是英特尔在中国的最大投资(以下简称“英特尔项目”)，也是中国迄今最先进的半导体生产线之一。此前英特尔扎根中国22年内投资总额仅为此次一次投资的一半左右，金额为13亿美元。由于美国政府以可能威胁“国家安全”为名，出台了许多限制半导体出口等政策。所有这些因素导致了英特尔该项目的落实成为业界广泛的焦点。
欧德宁明确表示，英特尔大连工厂项目已获美国政府的出口许可证，并得到了中国政府的正式批准。大连工厂还没有就选用的技术作最后决定，但投产时将尽可能用最先进的技术。
据悉，大连晶圆工厂是继1992年英特尔在爱尔兰建立英特尔Fab 10号晶圆厂后另行择址新建的第一个晶圆工厂。工厂的初期生产将主要专注于芯片组以支持英特尔的核心微处理器业务。 到2010年落成之时，大连晶圆厂将成为英特尔全球8个300毫米晶圆工厂网络中的一员，其余7家座落在美国、爱尔兰和以色列。
发改委副主任张晓强表示，集成电路(IC)产业是技术密集型产业，中国政府很重视这一产业，并积极培育环境，吸引外资，促进产业发展。我们欢迎英特尔公司来华投资建厂。这是近几年来中美两国间的最大合作项目之一，它将进一步巩固英特尔公司全球半导体芯片制造的核心地位。同时，在大连的这次投资对中国东北老工业基地的区域经济发展也具有积极意义。
张晓强还表示，英特尔大连芯片厂将带动IC业配套项目的发展，也把附加值较高的研发、设计带入项目。
中国工程院院士倪光南指出，英特尔大连建立300毫米晶圆工厂是大势所趋。大连晶圆厂不仅使中国形成完整的IT产业链，确立中国PC工 业在亚太地区的核心地位，更有助于中国PC工业形成产业集群效应。
整整准备4年 大连厂谈判艰苦
□本报记者 张韬
关于英特尔将在大连建立芯片厂的传闻早在半年前已经被炒得沸沸扬扬。但伴随传闻，英特尔始终保持了低调和谨慎，从未向媒体透露过任何相关信息。最早捅出消息的反倒是国家发改委。3月13日，国家发改委网站公布的消息称，经国务院同意，国家发改委近日已经核准英特尔半导体（大连）有限公司集成电路芯片生产线建设项目。
不过，截至英特尔宣布大连建厂之际，英特尔始终还未就此事做出任何正面回应。业内人士指出，多年以来，美国一直严格延续着《瓦森纳协定》。作为冷战时期的产物，该协议签署国家达几十个，它禁止向中国、前苏联、中东等国家和地区输出先进芯片技术。长期以来，美国也倾向于将此种管控视为从中美贸易获得其他商业利益的工具。 英特尔出于此种考虑，所以迟迟不愿过早透露信息。发改委似乎也意识到过早公布信息可能带来的风险，13日当天下午，发改委网站公布的相关信息就已被撤下网站。
此次发布会上，双方并未就具体谈判的过程作出披露。不过，大连市市长夏德仁发出感慨：谈判过程相当艰苦。
知情人士透露，英特尔管理层公开讨论在华建立芯片加工厂已有4年，期间考虑过很多城市。与大连政府官员的商谈始于2004年3月；开始的谈判意向主要是在该市建立一个芯片封装测试厂，该提议2005年6月被放弃；2006年1月提出建立芯片加工厂的想法，当年夏天该项目获得大连市的批准，随后中国国务院也于2月份批准了这一计划。 美国政府方面，英特尔与美国商务部领导下的一个机构组织进行过协商，该组织的宗旨是对军民两用技术的输出加以限制。为了满足美国商务部的要求，英特尔的大连工厂的技术与其现有主流技术的差距必须在两代以上。
英特尔方面则称，美国政府已经批准英特尔可以在2009年前出口90纳米技术，而大连厂的预计投产日期为2010年，届时如获美国政府新审批，也可能在大连采用更为先进的65纳米技术。
不过一些分析师至今仍心存疑虑，认为到新工厂建成投产后，英特尔可能已开始采用65纳米或更先进技术来生产芯片。一些分析师甚至还怀疑该计划是否真会付诸实施。
赛迪顾问半导体产业研究中心高级分析师李柯认为，作为上游厂商，英特尔300毫米晶圆制造工厂落户大连，无疑有助于本地产业链的健全。他指出，作为英特尔的竞争对手，AMD估计也会有追加投资的想法，但资金或许是个问题，短时间内在中国建厂肯定是有心无力。