通富微电今日公告，公司拟斥资10亿元开始启动三期工程、扩建二期工程。此举主要是鉴于全球宏观经济已逐步复苏，半导体行业将于2010年进入景气周期，公司拟抓住发展机遇，扩大生产规模，调整产品结构，同时也是为了解决目前厂房即将饱和的矛盾。

　　此次拟开工建设的三期工程建筑面积约2.6万平方米，二期扩建工程建筑面积约1万平方米。包括基本建设、动力设备和生产设备的总投资预计10亿元。项目资金来源为自有资金和银行项目贷款。

　　公司称，工程建设完成后将用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封装的研究开发及其量产，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 产品的扩产，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP产品的大规模生产能力。上述产品广泛应用于3G 手机、移动电视、无线射频网络、汽车电子、消费电子等领域。

　　通富微电表示，三期工程以及二期工程扩建的具体投资计划和方案由总经理负责制定，两个工程计划于批准后正式动工建设。