中国南车14亿投建
大功率IGBT基地
大功率IGBT基地
2011-05-25 来源:上海证券报 作者:⊙见习记者 覃秘 ○编辑 邱江
⊙见习记者 覃秘 ○编辑 邱江
中国南车今日公告,董事会审议同意控股子公司株洲所在株洲建设大功率IGBT产业化基地,正式启动我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目。本项目总投资约14亿元。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,为逆变器最核心、价格最高的零部件之一,而逆变器又是把直流电转换为交流电的核心部件,在太阳能电池、风力发电、新能源汽车等方面有广泛应用。