⊙记者 王宏斌 ○编辑 邱江

  随着“宽带中国”战略的推进及4G时代的来临，光迅科技正谋求在中高端光电子芯片上取得突破。公司今日发布非公开发行股票预案，拟以27.31元/股的底价，向不超过10名特定对象发行2307万股，募资不超过6.30亿元，投入宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。

  根据定增预案，公司本次募投项目将针对数个市场急需的目标产品进行产业化，产能包括年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件以及年产0.96万只40G接收器件。整个项目建设期为2年，全部达产后预计新增年销售收入7.63亿元、利润1.39亿元。

  “我们目前已完成了在10G至40G中高端光电子芯片上的技术积累，当务之急是尽快大规模产业化。”据公司介绍，通过本次募投项目的实施，公司产品线将从2.5G以下的普通光电子器件逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品。

  公司近年来市场整合力度颇为引人注目。去年，公司通过收购WTD完成了对有源光器件的产业整合；今年上半年，公司又收购了丹麦IPX公司，加强了对上游芯片的整合力度。公司方面表示，随着本次中高端芯片及其器件项目的实施，公司将形成更完整、从有源到无源的“芯片-器件-模块-子系统”垂直一体化产业链，协同效应将更为显著。

  “我们的目标是发展‘中国芯’，生产具有自主知识产权的中高端芯片，并以此为核心生产中高端光电子器件，进而打破国外垄断。”据统计，在2012年全球光电子芯片与器件领域，中国厂商只占到25%的份额，且集中在中低端芯片及器件上。作为国内行业龙头，光迅科技中高端芯片项目的崛起，有望改变这一市场格局。