纳思达股份有限公司关于相变存储器
PCRAM产业化进展的公告
2017-07-04
来源：上海证券报
证券代码：002180 证券简称：纳思达 公告编号：2017-073
纳思达股份有限公司关于相变存储器
PCRAM产业化进展的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
近日，纳思达股份有限公司（以下简称“公司”）收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司（以下简称“艾派克微电子”）的通知，艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“中科院上海微系统所”）以及中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）在相变储存器（“PCRAM” ，Phase Change Random Access Memory）产业化获突破性进展，三方联合研发打印机用基于PCRAM耗材芯片，在130纳米技术节点取得了工程应用的突破，并成功批量生产与销售。
这是继国家01专项（核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品）中的国产CPU成功在艾派克微电子产业化应用后，国家02专项（《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目）中的重大存储器项目在艾派克微电子的参与下实现重大技术突破，并在艾派克微电子实现了产业化销售。
PCRAM的写速度比传统EEPROM或FLASH非易失性存储器快1000倍，此技术的成功突破，将为公司带来良好的商业机会，并进一步提高公司的核心竞争力。
特此公告。
纳思达股份有限公司
董 事 会
二〇一七年七月四日
