证券代码：002428 证券简称：云南锗业 公告编号：2011-045

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

第四届董事会第六次会议决议公告

本公司及董事会全体成员保证公告内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司第四届董事会第六次会议通知于2011年7月25日以电子邮件方式发出,并于2011年7月29日以现场出席结合传真方式召开。本次董事会应参与表决董事9人，实际参与表决董事9人。本次会议召开符合《公司法》、《公司章程》等有关规定，会议合法有效。会议经表决形成如下决议：

议案表决情况：

经与会董事认真审议，本次会议以记名投票表决方式表决通过了以下决议：

会议以9票同意，0票反对，0票弃权，通过《关于对北京中科镓英半导体有限公司进行增资的议案》。

同意公司使用自有资金1104.6万元对北京中科镓英半导体有限公司进行增资。

独立董事对此发表了独立意见，同意公司使用自有资金1104.6万元对北京中科镓英半导体有限公司增资。

【《云南临沧鑫圆锗业股份有限公司关于对北京中科镓英半导体有限公司进行增资的公告》详细内容见公司指定信息披露媒体《证券时报》、《中国证券报》、《上海证券报》、《证券日报》和巨潮资讯网（http://www.cninfo.com.cn）】

特此公告。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

2011年8月2日

证券代码：002428 证券简称：云南锗业 公告编号：2011-046

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

关于对北京中科镓英半导体有限公司进行增资的公告

本公司及董事会全体成员保证公告内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

2011年7月29日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“公司”）第四届董事会第六次会议审议通过了《关于对北京中科镓英半导体有限公司进行增资的议案》，同意公司使用自有资金1104.6万元对北京中科镓英半导体有限公司进行增资。独立董事对此发表了独立意见，同意公司使用自有资金1104.6万元对北京中科镓英半导体有限公司（以下简称：“中科镓英”）进行增资。

公司本次对子公司的增资不涉及关联交易。

一、本次增资概述

2011年7月27日， 中科镓英股东大会作出决议，同意股东对中科镓英进行增资，以对中科镓英现有生产线进行技术升级改造。

1、增资方式

公司以现金1104.6万元，投资转入北京中科镓英半导体有限公司；中国科学院半导体研究所将其持有的7614.594平米的土地，按照评估后价值571万元，投资转入北京中科镓英半导体有限公司；以曾一平为代表的15位自然人股东放弃此次增资。

本次增资后中科镓英股权结构将变为：

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司出资7204.6万元，出资比例65.14%；中国科学院半导体研究所出资3771万元，出资比例34.10%；曾一平等十五名自然人出资84.4万元,出资比例0.76%。此次增资前后的中科镓英股权情况如下表。

出资人	出资方式	出资额（万元）	持股比例
增资前
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	货币资金	6100	65.00%
中国科学院半导体研究所	专有技术	3000	34.10%
	货币资金	200
郑厚植等十五位自然人	货币资金	84.4	0.90%
增资后
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	货币资金	7204.6	65.14%
中国科学院半导体研究所	专有技术	3000	34.10%
	货币资金	200
	土地	571
郑厚植等十五位自然人	货币资金	84.4	0.76%

2、项目实施计划

中科镓英将使用此次增资购置设备、维修厂房、改造现有生产线。经过本次全面技术改造及设备维修后，中科镓英可恢复正常生产，将实现砷化镓衬底片规模生产5万片/月（按标准2英寸计算）。

二、增资主体

除公司外，本次增资另一主体为中国科学院半导体研究所。

中国科学院半导体研究所为中国科学院所属的法人事业单位，住所：北京海淀区清华东路甲35号，法定代表人：李晋闽，开办资金：16,305万元；宗旨和业务范围：开展半导体研究，促进科技发展、半导体器件与物理研究、光学技术研究、仪器科学技术研究、材料学技术研究、电气工程研究、电子科学与技术研究、光电子科学与技术研究、信息通信及网络工程技术研究、相关技术咨询与产品开发、相关学历教育、继续教育、专业培训、学术交流与博士后培养、《半导体学报》出版。

半导体研究所现有职工640余名，其中科技人员460余名，中国科学院院士7名，中国工程院院士2名，正副研究员及高级工程技术人员198名，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。设有5个硕士学位授予点，3个工程硕士培养点，4个博士学位授予点，3个博士后流动站。

现拥有半导体超晶格国家重点实验室（半导体研究所区）、半导体表界面国家重点实验室（挂靠物理所）、国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体材料科学实验室。该所具有先进的物理测试分析、超薄层材料MBE、MOVCD生长和半导体器件工艺加工等大型仪器装备的技术条件。在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。在半导体材料方面，“自组织生长量子点激光材料和器件研究”项目获2001年国家自然科学二等奖；利用分子束外延技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。

三、增资对象基本情况

中科镓英为本公司控股子公司，成立于2001年12月26日，注册资本为9384.4万元（知识产权及实物出资3700万元），其股本结构为:本公司占65%，中国科学院半导体研究所占34.10%，郑厚植等15名自然人股东占0.9%，公司住所：北京市通州区光机电一体化产业基地，法定代表人：包文东，经营范围：许可经营项目：制造半导体材料。 一般经营项目：货物进出口、技术进出口、代理进出口。

四、本次增资的目的和对公司的影响

公司对中科镓英的现金增资，有利于其生产能力的修复和扩大，将有利于中科镓英效益的恢复和增长。中国科学院半导体研究所以土地进行增资，使得中科镓英房屋产权与土地使用权相统一，有利于中科镓英资产的进一步完整。以上增资将对公司进一步利用其技术平台延伸公司产业链有积极的作用。

五、增资资金使用

本次增资所涉及的资金，仅用于对中科镓英现有生产线的升级改造以及生产流动资金。

六、 备查文件

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司第四届董事会第六次会议决议。

特此公告。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

2011年8月2日

证券代码：002428 证券简称：云南锗业 公告编号：2011-047

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

关于更换保荐代表人的公告

本公司及董事会全体成员保证公告内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（下称：“云南锗业”）2011年7月29日收到保荐机构招商证券股份有限公司（以下简称“招商证券”）《关于更换保荐代表人的函》，公司原保荐代表人欧阳祖军先生拟离职，不再适合担任云南锗业持续督导期间的保荐代表人，为保证持续督导工作的有序进行，招商证券指派保荐代表人王波先生接替欧阳祖军先生继续履行持续督导职责。

本次保荐代表人变更后，云南锗业首次公开发行股票持续督导保荐代表人为徐中哲和王波，持续督导期至2012年12月31日。

特此公告。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

2011年8月2日

附：

王波先生个人简历

王波，毕业于苏州城建环保学院，工学学士，注册会计师，注册保荐代表人。2007年11月至今任职于招商证券投资银行部，4年投资银行从业经历，曾参与云南锗业首次公开发行股票、好想你首次公开发行股票、大唐发电非公开发行等保荐、财务顾问工作。