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2022年

12月3日

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2022-12-03 来源:上海证券报

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(十五)2015年7月公司股权转让

2015年7月,公司发生数次股权转让。相关股权转让价格均由转让双方协商确定,股权转让对价均已支付完毕。相关股权转让的具体情况如下:

上述股权转让完成后,立昂微电的股东数量变为176名,股权结构如下:

(十六)2015年9月第七次增资

2015年9月2日,立昂微电召开2015年第二次临时股东大会审议决定,根据公司经营发展需要,将公司注册资本由18,755.3401万元增至21,695.9990万元,新增注册资本2,940.6589万元由泓祥投资和泓万投资以货币方式认缴。新增注册资本中,2,249.90万元由泓祥投资以货币形式认购,690.7589万元由泓万投资以货币形式认购。泓祥投资与泓万投资均系由实际控制人王敏文控制的员工持股平台。增资价格按照立昂微电截至2015年6月30日合并会计报表的每股账面净资产价格确定,即每股3.52元。

本次增资的注册资本到位情况业经2015年12月30日中汇事务所出具的(中汇会验[2015]4290号)《验资报告》验证。

本次增资后,立昂微电股东数量变为178名。由于增资资金的到位时间同立昂微电第八次增资时间相近,因此本次增资与公司第八次增资一并于2016年1月22日办理了工商变更登记。相关股权结构的变动情况可详见本节“二、(十八)、2016年1月第八次增资(换股收购浙江金瑞泓49.17%股份)”部分相关内容。

(十七)2015年10月至2015年12月公司股权转让

2015年10月至2015年12月,公司发生数次股权转让。相关股权转让价格均由转让双方协商确定,股权转让对价均已支付完毕。相关股权转让的具体情况如下:

上述股权转让完成后,立昂微电的股东数量变为171名,股权结构如下:

(十八)2016年1月第八次增资(换股收购浙江金瑞泓49.17%股份)

2015年12月15日,立昂微电召开2015年第三次临时股东大会审议决定,将公司注册资本由21,695.9990万元增加至30,000万元。新增注册资本8,304.0010万元由王敏文等14名自然人及法人以其合计持有的浙江金瑞泓49.17%股份共计10,550.12万股认购。增资价格按照立昂微电与浙江金瑞泓2014年12月31日的整体评估值比较确定,即每股浙江金瑞泓股份可换取0.7871股立昂微电股份。本次换股完成后,立昂微电持有浙江金瑞泓21,445.27万股股份,持股比例为99.95%。

本次增资的注册资本到位情况业经2016年1月31日中汇事务所出具的(中汇会验[2016]1634号)《验资报告》验证。

2016年1月22日,立昂微电在杭州市市场监督管理局办理了变更登记。本次增资交易各方之间不存在对赌或其他特殊协议安排,不存在纠纷或潜在纠纷。本次增资后,立昂微电股东数量变为174名,股权结构变动情况如下:

(十九)2016年6月至2016年7月公司股权转让

2016年6月至2016年7月,公司发生数次股权转让。相关股权转让价格均由转让双方协商确定,股权转让对价均已支付完毕。相关股权转让的具体情况如下:

上述股权转让完成后,立昂微电的股东数量变为175名,股权结构如下:

(二十)2016年12月第九次增资(资本公积转增股本)

2016年12月7日,立昂微电召开2016年第三次临时股东大会审议决定,将公司注册资本由30,000万元增加至36,000万元,新增注册资本由全体股东以资本公积转增注册资本方式认缴,转增比例为每10股转增2股。

本次增资的注册资本到位情况业经2017年2月18日中汇事务所出具的(中汇会验[2017]2093号)《验资报告》验证。

2016年12月8日,立昂微电在杭州市市场监督管理局办理了变更登记。本次增资完成后,公司股权结构如下:

(二十一)2016年12月至2018年11月公司股权转让

2016年12月至2018年6月,公司发生数次股权转让。相关股权转让价格均由转让双方协商确定,股权转让对价均已支付完毕。相关股权转让的具体情况如下:

上述股权转让完成后,立昂微电的股东数量变为173名,股权结构如下:

(二十二)2020年9月首发上市

2020年9月,根据证监会出具的《关于核准杭州立昂微电子股份有限公司首次公开发行股票的批复》(证监许可[2020]1906号),发行人首次公开发行4,058万股人民币普通股股票并在上海证券交易所上市,此次发行募集资金净额15,973.90万元。中汇会计师事务所(特殊普通合伙)对本次公开发行的募集资金到位情况进行了审验,于2020年9月7日出具了《验资报告》(中汇会验〔2020〕第5793号)。

本次发行后发行人的注册资本由36,000万元增至40,058万元,股本总数由36,000万股增加至40,058万股,增加的4,058万股为社会公众股。

(二十三)公司2021年非公开发行股票

2021年10月,经中国证券监督管理委员会《关于核准杭州立昂微电子股份有限公司非公开发行股票的批复》(证监许可[2021]2740号)核准,公司采用非公开发行股票方式发行人民币普通股56,749,972股,每股发行价格为人民币91.63元,募集资金总额人民币520,000万元,扣除各项发行费用后募集资金净额为人民币515,218.33万元,公司总股本增加至45,733.00万股。

(二十四)公司2021年度资本公积转增股本

2022年3月30日,公司2021年年度股东大会审议通过公司2021年度利润分配及资本公积转增股本方案,同意公司以457,329,972股为基数,每股派发0.55元现金红利(含税),以资本公积向全体股东每股转增0.48股,共计派发现金红利251,531,484.60元,转增219,518,387股。本次资本公积转增股本方案实施完成后,公司总股本增加至67,684.84万股。

截至本公告书出具之日,发行人股本结构未发生变化。

三、公司股本结构及前十名股东持股情况

(一)本次发行前公司的股本结构

截至2022年9月30日,发行人的总股本为676,848,359股,股本结构如下:

(二)本次发行前公司前十名股东持股情况

截至2022年9月30日,发行人前十大股东的持股情况如下所示:

四、控股股东、实际控制人基本情况

(一)控股股东

发行人控股股东为王敏文先生,截至2022年9月30日,王敏文先生直接持有发行人117,831,266股股份,持股比例为17.41%;持有泓祥投资78.50%出资份额,通过泓祥投资间接控制发行人的股权比例为5.90%;持有泓万投资55.16%出资份额,通过泓万投资间接控制发行人的股权比例为1.81%。综上所述,王敏文先生先生合计控制发行人的股权比例为25.12%,为公司控股股东。

王敏文先生,中国国籍,无境外永久居留权,身份证号码为31011019631103****,住所为上海市浦东新区康桥镇康桥路1298弄****。

(二)实际控制人

发行人的实际控制人为王敏文。

(1)基于报告期内王敏文的持股情况认定王敏文为发行人的实际控制人

报告期内,王敏文始终为发行人的第一大股东。截至报告期末,其直接持有并间接控制的发行人股份比例为25.12%,远超第二大股东。

(2)基于报告期内发行人董事提名、选任等情形认定王敏文为发行人的实际控制人

报告期内,发行人由王敏文提名并当选董事的人数超过董事会成员的半数以上。

综上,王敏文为发行人的控股股东、实际控制人,报告期内发行人实际控制人未发生变更。

五、公司的主营业务

(一)公司主营业务

公司的主营业务为半导体硅片、半导体功率器件、化合物半导体射频芯片的研发、生产和销售,主要产品包括6-12英寸半导体硅抛光片和硅外延片、6英寸肖特基芯片和MOSFET芯片、6英寸砷化镓微波射频芯片等。上述产品的应用广泛,主要的应用领域包括通信、计算机、汽车、消费电子、光伏、智能电网、医疗电子以及5G、物联网、工业控制、航空航天等产业。

公司经过二十多年的发展,已经发展成为目前国内屈指可数的从硅片到芯片的一站式制造平台,形成了以盈利的小尺寸硅片产品带动大尺寸硅片的研发和产业化,以成熟的半导体硅片业务、半导体功率器件业务带动化合物半导体射频芯片产业的经营模式,很好的兼顾了企业的盈利能力及未来的发展潜力,为公司的持续、快速发展打下了坚实的基础。

(二)公司主要产品

1、半导体硅片产品

公司半导体硅片产品主要是硅抛光片、硅外延片,具体情况如下:

2、半导体功率器件芯片产品

公司半导体功率器件芯片产品主要是肖特基二极管芯片和MOSFET芯片,具体情况如下:

3、半导体功率器件成品

公司半导体功率器件成品主要为肖特基二极管,具体情况如下:

注:2021年11月5日,公司董事会审议通过了《关于公司停止开展功率器件成品业务的议案》,自2022年1月起停止开展功率器件成品业务。

4、化合物半导体射频芯片

公司化合物半导体射频芯片具体情况如下

六、公司所处行业的基本情况

(一)公司所属行业

根据《国民经济行业分类》(GB/T 4754-2017),公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”之“C397电子器件制造”。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

(二)行业管理体制和行业政策

1、行业主管部门及监管体制

公司所处的半导体硅片行业和半导体功率器件行业属于半导体行业的细分行业,为国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业。公司所处行业的主管部门为国家工业和信息化部,其主要职责为:提出新型工业化发展战略和政策,协调解决新型工业化进程中的重大问题,拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划,推进产业结构战略性调整和优化升级;制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策;监测分析工业、通信业运行态势,统计并发布相关信息,进行预测预警和信息引导;指导行业技术创新和技术进步,以先进适用技术改造提升传统产业等。

中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟为公司所处行业的自律组织和协调机构。

中国半导体行业协会成立于1990年,是由全国半导体界从事集成电路、半导体功率器件、半导体材料和设备的生产、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位、专家及其它相关的支撑企、事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织,下设6个分支机构:集成电路分会、半导体功率器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会。其主要职能有:贯彻落实政府有关的政策、法规,向政府行业主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议;开展信息咨询工作,对行业与市场情况进行调查研究与分析预测;开展经济技术交流和学术交流活动;开展国际交流与合作;协助政府制(修)订行业标准、国家标准及推荐标准等。

中国电子材料行业协会成立于1991年,是国内从事电子材料的生产、研制、开发、经营、应用、教学的单位及其他相关的企、事业单位自愿结合组成的全国性的行业社会团体,下设10个分会:半导体材料分会、覆铜板材料分会、压电晶体材料分会、电子精细化工材料分会、真空电子与专用金属材料分会、磁性材料分会、电子陶瓷材料分会、电子锡焊料材料分会、电子铜箔材料分会、石英材料分会。其主要职能有:协助政府部门进行行业管理;开展信息咨询服务工作;协调行业内部和本行业与相关行业间的经济、技术合作与交流,推动企、事业的技术进步,产品质量和经营管理水平的提高等。

集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟成立于2012年,是由国内从事集成电路材料和零部件制造、应用、科研、开发、教学等产学研企、事业单位在自愿基础上,以集成电路材料和零部件产业技术创新发展为主题共同发起组建的产业技术创新战略联盟。其主要职能有:制定联盟技术创新战略目标;发挥产学研用合作优势,承担重大科研课题,加快我国集成电路材料和零部件产业核心技术和关键产品的开发、应用及产业化;协调联盟技术资源;促进企业与用户间在技术开发等方面的合作;加强国际技术合作、人才培养和学术交流;开展战略研究,为国家技术和产业发展提供决策支撑等。

2、行业主要法律法规及政策

近年来,国家各部门陆续出台了一系列政策法规,极大地促进和规范了公司所处行业的健康发展,具体情况如下:

(三)行业概况

1、半导体硅片行业现状及发展前景

(1)半导体硅片简介

目前,全球半导体材料已经发展到第三代,包括以硅(Si)、锗(Ge)等为代表的第一代元素半导体材料,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体材料,以及以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代宽禁带半导体材料。

硅材料因其具有单方向导电特性、热敏特性、光电特性、掺杂特性等优良性能,可以生长为大尺寸高纯度晶体,且储量丰富、价格低廉,故而成为全球应用最广泛、最重要的半导体基础材料。目前全球半导体市场中,90%以上的芯片和传感器都是基于硅材料制造而成。

在自然界中,硅主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在于矿物、岩石中。二氧化硅经过化学提纯,成为多晶硅。多晶硅根据其纯度由低到高,一般可以分为冶金级、太阳能级和电子级。其中,电子级多晶硅的硅含量最高,一般要求达到99.9999999%至99.999999999%(9-11个9),也是生产半导体硅片的基础原料。

电子级多晶硅通过在单晶炉内的培育生长,生成硅单晶锭,这个过程称为晶体生长。半导体硅片则是指由硅单晶锭切割而成的薄片,又称硅晶圆(Silicon Wafer)。通过在半导体硅片上进行加工制作,从而形成各种电路元件结构,可以使其成为有特定功能的集成电路或分立器件产品。

作为生产制造各类半导体产品的载体,半导体硅片是半导体行业最核心的基础产品。

总体而言,半导体硅片可以按照尺寸、工艺等方式进行划分。按照尺寸划分,一般可分为12英寸(300mm)、8英寸(200mm)、6英寸(150mm)、5英寸(125mm)、4英寸(100mm)等规格;按照工艺划分,一般可分为硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等,其中以硅抛光片和硅外延片为主。

半导体硅片行业处于产业链的上游,为半导体行业发展提供基础支撑。半导体硅片在半导体(硅基)产业链中的位置如下图所示(虚线方框部分):

硅研磨片是指对硅单晶锭进行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圆形晶片,是制作硅抛光片及硅外延片的中间产品,也可以用于制作分立器件芯片。

硅抛光片由硅研磨片经过后续抛光、清洗等精密加工而成,主要应用于集成电路和分立器件制造。硅抛光片按照掺杂程度不同分为轻掺硅抛光片和重掺硅抛光片,掺杂元素的掺入量越大,硅抛光片的电阻率越低。轻掺硅抛光片广泛应用于大规模集成电路的制造,也有部分用作硅外延片的衬底材料。重掺硅抛光片一般用作硅外延片的衬底材料。

硅外延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料,用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同,分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层,可以提高CMOS栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性,后者结合了重掺杂衬底片和外延层的特点,在保证器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。

(2)全球半导体硅片行业现状及发展前景

半导体行业与全球宏观经济形势和下游需求紧密相关。2011年至2016年,全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷,硅片行业亦随之低速发展。2017年以来,受益于半导体终端市场需求强劲,下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长,新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展,半导体硅片市场规模不断增长。根据SEMI统计,2021年全球半导体硅片出货面积达141.65亿平方英寸,较2020年增长约14.17%,突破2018年的历史高位,最近五年复合增长率达到4.65%。

2012年-2021年全球半导体硅片出货面积

注:不包括SOI硅片

数据来源:SEMI

2017至2019年,全球半导体硅片销售金额从87亿美元增长至112亿美元,年均复合增长率为13.15%。2020年,全球半导体硅片销售金额112亿美元,连续第三年突破百亿美元大关。

全球半导体硅片市场规模

注:不包括SOI硅片

数据来源:SEMI

从半导体硅片尺寸规格来看,全球半导体硅片市场最主流的产品规格为300mm硅片和200mm硅片,300mm硅片占比持续上升。2019年,300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为67.22%和25.41%,两种尺寸硅片合计占比首次超过90%。2020年,300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为69.15%和23.94%,两种尺寸硅片合计占比连续两年超过90%。

(3)我国半导体硅片市场现状及前景

2010年至2013年,中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球半导体硅片市场一致。2014年起,随着中国各半导体制造生产线投产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展,中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2018年至2020年,中国大陆半导体硅片销售额从9.92亿美元上升至13.35亿美元,年均复合增长率为16.01%,远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率-0.93%。

中国大陆半导体硅片市场规模

注:不包括SOI硅片

数据来源:SEMI

2、半导体功率器件行业现状及发展前景

(1)半导体功率器件简介

功率器件是指具有单一功能的电路基本元件,如二极管、晶体管、电阻、电容、电感等,主要实现电能的处理与变换,是半导体市场重要的细分领域。

根据功能用途,可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器件(Power Semiconductor Device),又称电力电子器件(Power Electronic Device)。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是弱电控制与强电运行间的桥梁。除保证设备正常运行以外,功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的功率半导体器件包括二极管(普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等)、晶体管(双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT等)、晶闸管(普通晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等)。

作为功率器件最重要和最广泛的应用领域,半导体功率器件在大功率、大电流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势,因此可替代性较低。半导体功率器件目前几乎应用于所有的电子制造业,如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域,应用范围广阔。半导体功率器件行业处于产业链的中游,其产品被广泛应用于各终端领域。半导体功率器件在半导体(硅基)产业链中的位置如下图所示(虚线方框部分):

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