东芯半导体股份有限公司2024年年度报告摘要

公司代码：688110 公司简称：东芯股份

第一节 重要提示

1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。

2、重大风险提示

公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。

3、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

4、公司全体董事出席董事会会议。

5、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6、公司上市时未盈利且尚未实现盈利

□是 √否

7、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2024年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-167,141,889.91元，母公司报表2024年度实现净利润-92,962,099.48元。截止2024年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为44,105,185.37元。鉴于公司2024年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2024年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。

根据《上市公司股份回购规则》第十八条规定：“上市公司以现金为对价，采用要约方式、集中竞价方式回购股份的，视同上市公司现金分红，纳入现金分红的相关比例计算”，公司2024年度以集中竞价方式累计回购公司股份金额为135,435,162.05元（不含印花税、交易佣金等交易费用），现金分红和回购金额合计135,435,162.05元，占2024年度归属于母公司所有者的净利润的比例为81.03%（取绝对值）。

以上利润分配预案已经公司第二届董事会第二十二次会议及第二届监事会第十七次会议审议通过，尚需经公司2024年年度股东大会审议通过。

8、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用 √不适用

第二节 公司基本情况

1、公司简介

1.1公司股票简况

√适用 □不适用

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1.2公司存托凭证简况

□适用 √不适用

1.3联系人和联系方式

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2、报告期公司主要业务简介

2.1主要业务、主要产品或服务情况

1、主要业务

公司是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。

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图：公司产品应用示例

2、主要产品及服务

存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM 以及衍生产品MCP：

（1）NAND Flash

NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NAND Flash 主要为MLC、TLC NAND Flash或3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NAND Flash主要是SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。

公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

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图：公司NAND Flash产品

（2）NOR Flash

NOR Flash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。

公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPI NOR Flash，自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

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图：公司NOR Flash产品

（3）DRAM

DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。

公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

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图：公司DRAM产品

（4）MCP

MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。

公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8v SLC NAND Flash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NAND MCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

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图：公司MCP产品

（5）技术服务

公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。

在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。

2.2主要经营模式

公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。公司的整体业务流程如下图所示：

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2.3所处行业情况

(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。

依据WSTS的2024年秋季预测数据，2024年全球半导体市场规模约为6,268.69亿美元，同比增长19.0%，其中存储芯片市场规模约为1,670.53亿美元，同比增长81%；预计未来市场将继续呈增长态势，预计2025年全球半导体市场规模约为6,971.84亿美元，同比增长11.2%，预计2025年存储芯片市场规模为1,894.07亿美元，同比增长13.4%。全球半导体行业在经历阶段性调整后，逐步回暖，开启新一轮上行周期。

从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据Yole的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2,630亿美元。人工智能技术的大规模应用正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动 HBM、3D NAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。伴随着智能边缘存储、分布式存储、存算一体等新型架构的兴起，未来行业将呈现整体需求在周期性波动中保持一定的年均复合增长、技术维度向 “三维立体化、智能自适应、绿色低功耗”逐步演进，应用维度向AI新应用、数据中心等多元领域拓展的新态势。

(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况

公司主营业务涵盖利基型存储芯片，包括SLC NAND Flash、NOR Flash和DRAM等产品。以丰富的产品线、可靠的性能和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。在产品布局、工艺制程、产品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同时提供包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP等主要存储芯片完整解决方案。作为中国的存储芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格局。此外公司为了应对强周期性的存储市场，积极布局Wi-Fi7板块，依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研发的投入，旨在提升市场份额。同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机遇，确保公司的长期稳定增长。

(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

（1）NAND Flash

当前 SLC NAND Flash主流工艺仍以 2xnm 制程为核心，随着公司等国内厂商在 2xnm 工艺节点实现量产突破，国产替代进程加速推进。国际大厂如美光、铠侠虽仍主导市场，但国内企业通过工艺优化与成本控制，在消费电子、网通设备等领域的市占率逐步提升。

在存储芯片市场持续升级的背景下，SLC NAND Flash产品依托其高可靠性特性，逐步渗透至网络通讯设备、工业控制系统及车载电子等产业级应用场景。随着先进制程的微缩化突破，SLC NAND Flash正突破传统应用边界，在智能家居、可穿戴设备及医疗电子等新兴领域实现规模化应用。

市场需求端呈现两大显著趋势：一方面，网通设备升级、安防监控智能化及物联网生态扩展持续推升存储容量需求；另一方面，在智能穿戴设备等特定领域，SLC NAND Flash凭借擦写速度与存储密度优势，已形成对NOR Flash在代码存储应用中的替代效应。这种技术迭代不仅重构了存储器市场格局，更为智能终端设备的性能提升开辟了新的技术路径。

此外三星表示从今年年底开始逐步减少在现货市场销售MLC NAND。中低容量的MLC NAND在基于量产规模逐渐萎缩，从2025年中进入产品寿命结束的EOL阶段，对于工控、医疗及车载市场将首当其冲，供应链需提早导入产品升级或考虑转换新供应商。

（2）NOR Flash

目前主流工艺制程为55nm，主要用于存储代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。NOR Flash 分为串行和并行，串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求，逐步成为主要系统方案商的首选。随着市场集中度逐步变高，降低成本为行业逐步追求的方向，目前市场上主要以ETOX为较为通用架构，此外也有厂商通过SONOS、NORD等技术降低成本。

尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势，在 NOR Flash 市场上逐步取代了一些传统厂商。随着全球AI市场的快速发展，AI大模型等新兴场景的涌现，对NOR的需求的增长提供了新增动力。AI对SoC的CPU/NPU/GPU性能提出更高要求，驱动NOR Flash向高带宽、低延迟方向迭代，以满足代码存储与快速启动需求。同时受益于AI终端开拓新的应用场景，NOR Flash广泛应用于智能手机、可穿戴和物联网等领域。TWS耳机方面头部品牌（如苹果AirPods Pro）支持主动降噪、空间音频等功能，中低端机型搭载AI语音助手，NOR Flash容量需求提升。AIPC方面BIOS代码量增长驱动NOR Flash容量升级，微软Copilot+等本地AI工具进一步刺激需求。AI眼镜等设备上轻量化AI交互依赖低功耗存储方案，单机NOR Flash用量可达64-128Mb。

（3）利基型DRAM

利基型DRAM市场作为半导体存储领域的特殊细分市场，呈现出成熟技术与动态需求交织的独特生态。当前市场以DDR3、小容量DDR4及LPDDR1-LPDDR4x等主流工艺节点产品为核心架构，技术路线聚焦稳定性和兼容性而非绝对性能指标。从需求侧观察，该市场形成三大核心支撑：消费电子领域（智能电视、机顶盒）、工业控制系统（安防监控、工控设备）以及汽车电子基础模块（车载信息娱乐、ADAS辅助系统）。值得注意的是，现阶段汽车电子对存储性能需求尚未进入高速迭代周期，车规级产品更强调极端温度耐受性（-40℃~125℃）和长期运行稳定性。

市场供需格局正经历结构性调整。国际三大原厂（三星、SK海力士、美光）持续将产能向DDR5、LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜，形成显著的市场真空。这一趋势为大陆及中国台湾供应商创造了战略机遇。随着物联网终端设备量级突破百亿规模，叠加传统设备存储升级需求，利基型DRAM市场展现出区别于标准存储市场的强抗周期属性，预计未来五年将维持5%-7%的复合增长率。

此外针对利基型存储产品也开始出现定制化存储方案，通过3D堆叠技术将存储单元与主控芯片集成，通过缩短信息传递路径来提升数据传输效率，实现近存计算。该方案具有高带宽、高经济效益的优势。相比传统DRAM，该方案无需PCB走线，进一步节省面积、降低功耗，具有较高的性价比。目前该方案可根据不同端侧设备的特殊存储需求，定制存储接口形式、封装形式等内容，适配端侧算力SoC 产品的差异性。适用于低功耗、高带宽以及中低容量内存需求的场景，例如可穿戴设备、边缘服务器设备、监控设备、ADAS 及协作机器人等。

3、公司主要会计数据和财务指标

3.1近3年的主要会计数据和财务指标

单位：元 币种：人民币

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3.2报告期分季度的主要会计数据

单位：元 币种：人民币

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季度数据与已披露定期报告数据差异说明

□适用 √不适用

4、股东情况

4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况

单位: 股

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存托凭证持有人情况

□适用 √不适用

截至报告期末表决权数量前十名股东情况表

□适用 √不适用

4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

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4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

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4.4报告期末公司优先股股东总数及前10 名股东情况

□适用 √不适用

5、公司债券情况

□适用 √不适用

第三节 重要事项

1、公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

报告期内，公司实现营业收入64,095.35万元，较上年同期增长20.80%；归属于上市公司股东的净利润-16,714.19万元，同比增加13,910.78万元，亏损收窄45.42%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-20,068.96万元，同比增加12,643.90万元，亏损收窄38.65%。

2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。

□适用 √不适用

证券代码：688110 证券简称：东芯股份 公告编号：2025-014

东芯半导体股份有限公司

关于取消公司监事会、修订《公司章程》及

制定、修订部分内部治理制度的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

东芯半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于2025年4月21日召开了第二届董事会第二十二次会议，审议通过了《关于取消公司监事会及修订〈公司章程〉并办理工商变更登记的议案》、《关于制定、修订部分内部治理制度的议案》，召开第二届监事会第十七次会议，审议通过了《关于取消公司监事会及修订〈公司章程〉并办理工商变更登记的议案》，其中部分议案尚需提交公司2024年年度股东大会审议。现将具体情况公告如下：

一、取消监事会的相关情况

鉴于公司第二届监事会即将届满，根据《中华人民共和国公司法》《上市公司章程指引》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关规定，结合公司实际情况，公司将不再设置监事会，监事会的职权由董事会审计委员会行使，《东芯半导体股份有限公司监事会议事规则》等监事会相关制度相应废止，同时《东芯半导体股份有限公司章程》（以下简称“《公司章程》”）中相关条款亦作出相应修订。

二、修订《公司章程》部分条款的相关情况

为进一步优化公司治理结构，更好地促进规范运作，公司根据《中华人民共和国公司法》《上市公司独立董事管理办法》《上市公司章程指引》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号一一规范运作》等法律法规和规范性文件的要求，结合公司治理的实际情况，对《公司章程》部分条款进行了修订。具体修订内容如下：

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（下转250版）