(上接889版)

(上接889版)

■■■■

（3）工车规存储

公司工车规存储包括工车规eMMC、UFS、LPDDR、SSD、内存模组、存储卡等，主要面向工车规细分市场，应用于网络与通信、工业自动化、汽车电子、智慧交通、智慧安防、电力能源、智慧医疗、智慧金融等领域。工车规客户对产品的性能、稳定性、安全性、强固性、耐用性有着严苛的标准，对存储器厂商的技术研发实力、定制化能力、生产工艺、稳定供应等提出了极高的要求。公司针对不同领域的工车规应用开发了众多技术解决方案，满足不同场景的应用需求。

公司通过自研设备和算法对存储介质进行特性研究及筛选，可针对不同应用适配最佳的存储介质，满足客户的宽温需求；通过核心固件算法开发，让产品读写性能更加稳定、并具备数据纠错、寿命监控、异常掉电保护、数据加密、端到端数据保护、功耗监测及控制等功能；通过分级的物料控制和生产制造控制，让产品具有更高的可靠性和持续工作稳定性；通过先进封装工艺，实现产品的小尺寸、多芯片异构集成封装；通过自研测试设备与测试算法，保证产品的高品质与高可靠性。公司在工规级和车规级嵌入式存储领域具备显著技术优势，能够提供采用佰维自研主控芯片的全国产化方案，进一步增强了产品的自主可控性与技术竞争力，并通过自有先进封装和测试制造体系，严格控制生产工艺，确保产品能够在极端环境下稳定运行，满足工车规标准。

在车规级存储领域，公司已通过国内多家领先汽车制造商的严格供应商审核与认证，成为其核心存储解决方案供应商。公司车规级存储产品广泛应用于辅助驾驶系统、智能网联汽车、车载无人机及其他高端智能设备，为智能驾驶技术的创新与发展提供了强有力的数据存储支持。凭借卓越的技术研发能力和完善的质量管理体系，公司在车规级存储市场中占据了领先地位，能够满足智能汽车领域对存储产品的高标准要求。通过持续的技术创新、严格的质量管控及强大的生产制造能力，公司能够为不同客户提供量身定制的存储解决方案，进一步巩固了在工车规细分市场中的竞争优势，并确保在不断变化的市场环境中始终保持技术领先地位。

公司工车规存储解决方案分为工业标准级、工业宽温级、车规级三大产品族，并针对特定行业的存储需求，推出多款行业解决方案产品。各系列产品包括SATA SSD、PCIe SSD、eMMC、UFS、LPDDR、BGA SSD、内存条、存储卡、NOR Flash等不同的产品形态，满足工车规客户的不同需求与场景。

公司主要工车规存储产品简要介绍如下：

■■■

（4）企业级存储

公司企业级存储有4大类别，分别为SATA SSD、PCIe SSD、CXL内存及RDIMM内存条，主要应用于数据中心、通用服务器、AI/ML服务器、云计算、大数据等场景。

①企业级2.5"SATA SSD产品

公司SS系列企业级2.5"SATA SSD产品包含SS621、SS821等系列。SS621系列企业级SATA SSD产品采用SATA 6Gbps接口规范，搭载DDR4外置缓存，最大顺序读取速度、写入速度分别达到560MB/s、535MB/s，4K随机写入最高可达45K IOPS，支持480GB、960GB、1920GB、3840GB、7680GB多种容量规格。SS821系列企业级SATA SSD产品，采用国产自研主控和国产闪存方案，支持M.2 2280和2.5"两种不同规格，产品寿命可覆盖1 DWPD和3 DWPD，最大顺序读取速度、写入速度分别达到560MB/s、520MB/s，4K随机读取和写入分别可达95K IOPS和40K IOPS，支持240GB、480GB、960GB、1.92TB和3.84TB等多种容量规格。两款SATA产品均支持异常掉电保护、端到端的数据保护、Thermal Throttling、动态和静态磨损平衡、支持电源动态管理、S.M.A.R.T、垃圾回收和TRIM、固件备份、Internal Die RAID等特性，可满足数据中心、云服务、物联网（IoT）、人工智能（AI）与机器学习等客户需求，在政府、金融、运营商、企业数据中心等多个行业领域具有广阔的应用前景。

②企业级PCIe SSD产品

公司SP系列企业级PCIe SSD产品，包含Gen4和Gen5两类产品。其中，SP4系列产品基于PCIe 4.0x4接口，2.5" U.2外形尺寸，支持NVMe 1.4b协议，容量支持1.6T~7.68T，最大顺序读取、写入速度分别可达7,050MB/s、4,200MB/s。SP5系列产品基于PCIe 5.0x4接口，2.5" U.2外形尺寸，支持NVMe 2.0协议以及NVMe-MI1.2协议，容量支持1.6TB~7.68TB，最大顺序读取、写入速度分别可达13,200MB/s、10,000MB/s，4K随机写入最高可达900K IOPS。SP4和SP5系列产品均覆盖DWPD〉=1读取密集型和DWPD〉=3读写混合型两种不同类型应用，可满足高性能分布式存储、高性能数据库、OLTP/OLAP、高性能AI应用、大数据分析等不同业务场景需求。

公司SP系列企业级PCIe SSD产品，采用创新架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，可为客户提供业界领先的KIOPS/Watt综合性能。同时，公司SP系列企业级PCIe SSD支持各种领先特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、End to End Data Path Protection（端到端数据路径保护）、Internal RAID、Secure Boot安全启动、TCG Opal 2.0等，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。

③企业级CXL内存产品

AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。

公司的CXL内存扩展模组产品，支持CXL 2.0规范。公司CXL 2.0 DRAM支持EDSFF（E3.S）和AIC HHHL两种外形规格，内存容量高达96GB，支持PCIe 5.0x8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。

在Latency性能方面，实际测试中，公司CXL 2.0 DRAM挂载于node 2节点，与挂载于node 0节点的CPU存取Latency为247.1ns，带宽超过21GB/s，Latency性能优异，赋能数据高速处理。

④企业级RDIMM内存条产品

公司的企业级RDIMM产品，包含DDR4、DDR5两类产品。公司企业级DDR4 RDIMM内存条产品，支持DDR4规范，最高支持3,200MT/s数据传输速率，容量支持16GB、32GB。公司企业级DDR5 RDIMM内存条产品，搭载5600MT/s超高传输速率及双独立32位子通道设计，性能较DDR4提升75%，双独立子通道结合BL16突发传输技术实现单次64字节数据吞吐，直接匹配现代CPU的缓存行大小，减少多次小数据块传输的开销，显著提升内存与处理器之间的数据交换效率，为AI训练、实时分析等高并发场景提供强劲算力支持，产品采用24Gb/32Gb原厂高密度颗粒，单条容量支持64GB/96GB/128GB。公司RDIMM内存条产品采用原厂DDR颗粒，结合公司自主研发的RDIMM内存条产品测试软件平台，对DDR颗粒和RDIMM模组进行严苛而全面的测试，充分保障产品的质量稳定可靠。企业级RDIMM内存条遵循JEDEC标准而设计研发，并通过了国内外主流的CPU厂商的认证，全面兼容Intel Xeon、AMD EPYC及国产化平台，获主流服务器认证，为云计算、边缘计算及高性能计算提供企业级可靠内存解决方案，可广泛应用于数据中心、互联网、云计算、工作站等应用场景。

公司主要企业级存储产品具体介绍如下：

■■

（5）移动存储

公司移动存储包括移动固态硬盘、存储卡等产品，主要应用于消费电子领域，具有高性能、高品质的特点，并具备创新的产品设计。在公司自主品牌佰维（Biwin）方面，公司针对专业的摄影摄像用户群体推出了高端影像存储Amber系列，并不断完善与各大相机原厂的AVL认证，确保产品的兼容性表现。

2024年，公司上市了BIWIN PD2000移动固态硬盘，搭配USB3.2 Gen2x2 Type-C接口，最高顺序读写速度分别达2,050MB/s、1,800MB/s，可以为用户在传输数据时节省时间。PD2000能够支持iPhone 15/16 Pro系列的ProRes视频格式下的4K/60fps的视频外录。PD2000最高容量达到4TB，最大重量不超过30g，多彩颜色随意搭配，给用户提供轻便随行的便捷。2024年8月，公司推出了全新的创新型移动固态硬盘BIWIN PM2000，PM2000依靠高性能的主控与高等级TLC颗粒的搭配，最高顺序读写速度分别达到2,000MB/s、1,800MB/s，支持iPhone 15/16 Pro系列的ProRes视频格式下的4K/60fps的视频外录，产品内置的N54级别的强力磁铁，为产品提供了强大的磁力，并提供了一种全新的移动固定方式，搭配包装内附赠的引磁片可以吸附于PC、平板、手机等设备上。

同时，公司先后获得惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）等国际知名品牌的存储器产品全球运营授权，由公司独立进行相关产品的设计、研发、生产和市场推广、销售。在惠普（HP）运营方面，惠普天猫旗舰店在2024年天猫618购物节年中大促活动期间移动固态硬盘品类排名天猫第三；HP P900移动固态硬盘获得eTeknix 2023年COMPUTEX最佳产品奖。在宏碁（Acer）运营方面，宏碁（Acer）SC900 256GB存储卡荣获Photographylife“Gold Award”（金奖）；宏碁（Acer）CFE100 512GB存储卡荣获Camera Jabber“5 Star”；宏碁（Acer）UF200、UF300 U盘荣获“德国红点设计奖”。

公司移动存储主要产品具体介绍如下：

■■■

（6）先进封测

公司以子公司泰来科技（曾用名：惠州佰维）作为先进封测及存储器制造基地。泰来科技专精于存储器封测及SiP封测，目前主要服务于母公司的封测需求。泰来科技封装工艺国内领先，目前掌握16层叠Die、30～40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。同时，公司自主开发了一系列存储芯片测试设备和测试算法，拥有一站式存储芯片测试解决方案。未来，随着产能不断扩充，泰来科技将利用富余产能向存储器厂商、IC设计公司、晶圆制造厂商提供代工服务，形成新的业务增长点。泰来科技目前可提供Hybrid BGA（WB+FC）、WB BGA、FC BGA、FC CSP、LGA、QFN等封装形式的代工服务。

公司积极布局晶圆级先进封测业务。晶圆级先进封测介于前道晶圆制造与后道封装测试之间，采用光刻、蚀刻、电镀、PVD、CVD、CMP等前段晶圆制造工序，以实现凸块、重布线、扇入、扇出等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省物理空间，还能够将多个芯片集成在同一晶圆上，实现更高的集成度。公司在东莞松山湖落地的晶圆级先进封测项目（该项目主体公司为公司控股子公司广东芯成汉奇）有利于帮助客户实现更高性能芯片，采用异构集成的先进芯片晶圆级封装。广东芯成汉奇目前主要规划两大类产品线，分别是应用于先进存储芯片的FOMS（Fanout Memory Stack）系列，以及先进存算合封CMC（Computing Memory Chiplet）系列。

■■■■

2.2主要经营模式

1、盈利模式

集成电路行业经过多年发展，英特尔、三星、德州仪器等巨头逐渐形成IDM（Integrated Device Manufacturing，垂直分工模式）的经营模式，企业除了进行集成电路设计以外，同时也拥有自己的晶圆制造厂和封装测试厂，业务范围涵盖电路行业的主要环节。该模式对企业的技术能力、资金实力、管理组织水平以及市场影响力等方面都有极高的要求。

随着芯片制造工艺进步、晶圆尺寸扩大、投资规模增长，集成电路行业趋向于专业化分工，越来越多的企业走向专业化的发展道路，只专注于集成电路的芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节中的某一环节。

对比前两种模式，佰维存储紧紧围绕半导体存储器产业链，构筑研发封测一体化的经营模式，布局存储解决方案研发、主控芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测和存储测试机等产业链关键技术领域。具体模式如下：

■

在研发封测一体化经营模式下，公司针对市场的不同需求进行产品设计、研发及原材料选型，从供应商购入NAND Flash晶圆及芯片、DRAM晶圆及芯片等主要原材料，自研或外购主控晶圆及芯片，对存储介质开展特性研究与匹配，通过固件/软件/硬件和测试方案开发适配各类客户典型应用场景，并进行IC封测或模组制造，将原材料生产成半导体存储器产品，销售给下游客户。该模式为公司在产品创新及开发效率、产能及品质保障等方面带来竞争优势，同时规避了晶圆迭代的技术风险和过重的资本投入。

2、研发模式

公司高度重视产品设计研发，秉持以客户需求为牵引的核心原则，构建了基于IPD管理理念的产品研发体系，通过组建包括市场、研发、采购、生产制造、财务、质量等多领域员工参与的PDT集成开发团队，实现了从市场需求分析、立项论证、产品开发、产品验证、产品发布的全过程技术与质量管控，有效的保障了产品的技术先进性、产品交付质量及商业成功。

除客户需求牵引的产品开发过程以外，公司高度重视关键技术方向的预研布局，在公司产品战略的指引下，研发部门结合行业技术发展趋势，开展技术平台建设，以实现技术引领产品，技术服务产品的战略目标。技术平台通过对产品共有关键技术进行预研攻关，有效的缩短了产品上市过程，提升了产品开发效率。

公司产品开发与技术平台开发遵循一致的研发过程管理体系，共分为以下6个阶段：

（1）概念阶段：市场需求及开发策划阶段，在公司产品战略的牵引下，通过市场需求分析选取特定产品技术方向，开展核心特性分析、应用场景及竞争分析，寻找商业价值点。同时市场部门与研发部门结合关键技术路径分析及研发投入资源分析评估结果共同完成核心产品特性的取舍，输出市场需求包与投入产出分析，供立项决策，立项通过后进入下一阶段；

（2）方案阶段：概念阶段经评审通过后，由PDT团队主导，进行产品需求到设计需求的分解，通过架构设计、DFEMA分析、DFX设计等研发过程，将市场需求分解到芯片、硬件、软件、封装、制造等各技术领域，形成设计需求，并由各技术领域研发人员完成各领域的方案设计、关键技术点验证；产品测试部门在此阶段开展产品测试方案设计，以保障设计需求得到充分验证。方案阶段，PDT团队输出的设计需求、产品架构设计、设计方案、测试方案、项目计划等由公司相应技术委员会评审通过后，用以指导下一阶段开发工作；

（3）设计开发阶段：遵照经评审的方案和计划开展产品设计和开发过程，包括产品的芯片设计、硬件设计、封装设计、固件开发、应用软件开发、测试开发等，并完成各技术领域设计需求的测试验证；

（4）产品验证阶段：集成各技术领域的设计成果，围绕市场需求闭环，开展并完成集成验证，完成产品的生产工艺开发及导入，达成小批量试制的质量目标；

（5）可靠性验证：根据市场需求，对产品进行大规模的完整可靠性验证，如高低温、震动冲击、寿命测试、数据可靠性等；

（6）发布阶段：完成小批量试制和可靠性验证阶段交付件的检查和评审后，正式发布产品，进入产品量产阶段。产品发布后根据公司生产部门和客户的问题反馈，持续优化产品，达到客户满意。

在上述开发过程中，公司实行商业决策点与技术决策点双线评审的机制，通过公司产品管理委员会与专家委员会的评审有效保障各阶段的交付质量。

为保障IPD模式有效运作，公司设置了成都、深圳、惠州、杭州、东莞等多个研发中心并在武汉、上海等地设置研发实验室，广纳行业英才，基于技术领域设置了系统架构部、IC设计中心、介质研究部、软件部、硬件部、测试部、封测工程部、封测R&D、装备研发中心、项目管理部等技术研发部门，以保障研发体系的有效运作及技术领域的资源共享。

3、生产模式

公司目前主要的生产基地是泰来科技。泰来科技拥有芯片封测和模组制造两个生产模块，其中芯片封测生产模块进行从晶圆到芯片的封装测试工序，主要用于嵌入式存储产品的制造，并为模组制造生产模块提供NAND Flash芯片原料；模组制造生产模块主要进行SMT、外壳组装及成品测试等工序，主要用于固态硬盘、内存条、存储卡等消费级/工业级存储产品的制造。在产品交付过程中，面对客户的大批量交付、急单交付等需求，公司自主封测制造能力可以确保客户交期与产品品质。

在自有产能无法全部满足生产需求时，公司将部分生产工序相对简单的产品进行委外加工。公司外协加工涉及的生产环节主要为SMT贴片、成品组装、外包装制作等技术含量相对较低的环节，以及工艺简单的芯片封装及测试，不涉及关键技术；多芯片堆叠、SiP、超薄Die、Flip Chip等先进封装工艺生产均由公司自有产线承担。

4、采购模式

公司根据自身生产工序特点及终端存储器产品需求，建立起完善的供应商采购体系：芯片类产品在生产过程涉及的原辅料主要包括NAND Flash晶圆、DRAM晶圆、主控晶圆、基板等；模组类产品在生产过程涉及的原辅料主要包括NAND Flash芯片、DRAM芯片、主控芯片、PCB等，其中NAND Flash芯片主要由公司芯片封测生产模块提供。

（1）存储晶圆及芯片采购

晶圆是经集成电路制造工艺制作而成的圆形硅片，具备特定的电性功能；芯片是晶圆经封装测试后能够直接使用的成品形态。在半导体存储器领域，存储晶圆及芯片均系核心存储介质，系半导体存储器的核心原材料，公司根据生产需求灵活选择采购存储晶圆或芯片。全球的存储晶圆产能集中于三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据、长江存储、合肥长鑫等存储晶圆原厂，该等厂商一般仅与少数重要客户建立直接合作关系并签订长期合约。通过多年的合作，佰维存储已经和主要的存储晶圆制造厂商、经销商建立了长期稳定的合作关系，可以保障存储晶圆供应的持续、稳定。佰维存储采用按需采购和备货相结合的采购策略，一方面根据与下游客户签立的销售订单及自身库存情况向供应商提出采购需求，另一方面公司会根据对市场供给形势、存储晶圆价格趋势等市场因素综合分析，进行备货采购以应对存储晶圆价格波动对公司经营业绩的影响。

（2）存储主控采购

存储主控是半导体存储器的核心部件之一。在采购环节，佰维存储主要根据与客户签立的销售订单以及公司对于市场未来需求的预测向存储主控供应商采购主控晶圆或芯片。存储主控供应商有慧荣科技、联芸科技、英韧科技等。通过多年的合作，佰维存储已经和行业一流的存储主控芯片供应商建立了长期而稳定的合作关系，可以保障存储主控供应持续、稳定。

（3）基板、PCB等采购

基板、PCB是半导体存储器生产过程中的重要辅料。在采购环节，佰维存储主要根据与客户签立的销售订单以及公司对于市场未来需求预测采购这两种物料。目前公司主要的基板供应商有深南电路、兴森快捷、和美精艺等；主要PCB供应商有欣强电子、中京电子、胜宏科技等。上述厂商均与公司建立了长期稳定的合作关系。

5、销售模式

根据半导体存储器行业特点及下游客户的需求，公司采用直销与经销相结合的销售模式。直销模式下，公司直接将存储器产品销售给终端客户；经销模式下，公司产品通过经销商销售给下游终端客户。

2.3所处行业情况

(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

（1）行业基本情况

半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器等细分领域。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的测算，全球半导体市场在2024年处于上升周期，整体规模达到6,276亿美元，同比增长19.1%。其中，存储市场规模1,670.5亿美元，同比增长81%，占整个半导体市场规模的26.6%，是半导体产业的重要分支。据全球知名市场研究机构Yole发布的报告显示，得益于数据中心、云计算和5G等行业的持续增长以及全球半导体供应链的逐步恢复，2029年存储市场空间预计增长至2,340亿美元。

下一代信息技术与存储器技术的发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等创新领域不仅持续催生海量数据，同时也成为数据应用的核心载体。据Statista的预测数据，到2035年，全球每年产生的数据量预计将达到2,142ZB，约为2020年的45倍。根据IDC的数据，中国整体数据量在2025年将达到48.6ZB，占全球数据量规模的27.8%。数据需要存储，存储需要芯片，面临数据的爆发式增长，市场需要更多的存储器承载海量的数据。

目前存储器国产化率较低，根据Gartner数据，2024年国产DRAM份额低于5%，国产NAND Flash芯片市场份额低于10%，发展前景较大。存储器行业属于集成电路领域国家重要的战略性基础产业，对国家的电子信息产业和信息安全有重大的意义，存储芯片的国产化率随着市场和政策的双向推动将会大幅提升，国产存储产业前景广大。

2025年，AI将成为存储市场增长的强劲动力，AI PC和AI手机均会量产出货，据IDC统计，2024年全球新一代GenAI手机出货量为2.3亿部，占智能手机整体出货量的18%，2025年GenAI手机出货量将接近4.2亿台，同比增长82.7%，将会占据整体智能手机市场份额的三分之一，2028年有望达到9.12亿台，2024至2028年复合增速将达到41.1%；据Canalys统计，2024年全球AI PC出货量达到4,335万台，占PC总出货量的17%，2025年有望达到1.14亿台，同比增长165.5%，2028年将达到2.05亿台，占PC总出货量的70%。本地实现流畅运行大模型会对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容，终端OEM厂商的新AI PC和AI手机单机DRAM容量有望大幅提升，16GB RAM（内存）将成为新一代AI手机的基础配置，同时32GB甚至64GB内存或将成为AI PC的标配。生成式人工智能（AIGC）的推动下，AI服务器在2024年迅猛地增长，也带动HBM3E、DDR5等高端内存需求的增加。TrendForce集邦咨询指出，2024年全球AI服务器出货量为176.4万台，同比增长46%，占服务器整体出货量的12.8%，预计2025年出货量有望增长28%，至225.8万台。

综上，数据的持续增长将驱动存储产业规模不断提升，国产化率的提高将驱动国产存储产业链的迅速发展，AI技术革命将大大提升对高端存储器的需求，以上三个要素为国内存储产业带来了巨大的发展机遇。

（2）行业概况

1）NAND Flash行业概况

NAND Flash是非易失性存储的一种，是大容量存储器当前应用最广和最有效的解决方案。目前全球主要的NAND Flash IDM原厂为三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等企业。从市场竞争格局来看，根据CFM闪存市场数据显示，2024年第三季度的NAND Flash市场上，三星、SK海力士+Solidigm、铠侠、美光、西部数据的市场份额分别为32.9%、19.1%、17.0%、12.4%和9.9%。从市场规模来看，根据TrendForce数据显示，2024年全球NAND Flash市场规模为656.35亿美元，同比增长70%。

NAND Flash具有存储容量大、读写速度快、功耗低、单位成本低等特点，主要应用于有大容量存储（Storage）需求的电子设备。随着AI、物联网、大数据、5G等新兴应用场景不断落地，电子设备/服务器需要存储的数据量也越来越庞大，NAND Flash需求量巨大，市场前景广阔。

2）DRAM行业概况

DRAM是动态随机存取存储器，DRAM的特征是读写速度快、延迟低，但掉电后数据会丢失，常用于计算系统的运行内存（Memory）。目前全球主要的DRAM IDM原厂为三星、SK海力士和美光。根据CFM数据显示，2024年第三季度的DRAM市场上，三星、SK海力士、美光、南亚科技的市场份额分别为39.5%、34.7%、20.6%、1.0%。根据TrendForce报告，得益于数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升，2024年全球DRAM市场规模为958.63亿美元，同比增长85%。

3）HBM行业概况

HBM（High Bandwidth Memory）作为基于3D堆栈工艺的高性能Memory，打破了内存带宽及功耗的瓶颈。HBM即高带宽存储器，通过使用先进封装将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高带宽的DDR组合阵列。在高性能GPU需求的推动下，HBM已经成为AI计算芯片的标配。

根据Gartner数据显示，2024年，HBM市场规模为118.69亿美元，同比增长超过300%。随着AI大模型的兴起，海量算力需求对芯片内存容量和传输带宽提出更高要求，预计HBM市场规模在2025年同比增长超过66%，接近200亿美元，2028年将达到316亿美元，2024至2028年复合增速达到27.8%。在竞争格局方面，2024年，SK海力士继续保持超过50%的份额领先市场，三星以32%~35%的份额次之，美光的份额约为13%~15%。

（3）行业发展趋势

1）下游需求多点开花，AI推动半导体存储市场规模持续扩容

存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等多个领域，其中多个细分市场需求爆发式增长，从而带动整个存储器行业的持续扩容。

AI技术对全球半导体存储行业产生了深远影响，带动了市场需求升级与技术创新。AI在多个领域的大规模应用，催生了对高性能、低延迟存储解决方案的巨大需求，AI促使半导体存储行业与上下游产业链紧密合作，进行跨领域技术创新，以满足数据爆炸式增长下的存储与处理需求。展望未来，随着技术的进一步成熟与普及，AI技术不仅推动了半导体存储市场规模的持续扩容，同时，将引导半导体存储行业向高性能、大容量、智能化的方向持续演进。

2）半导体存储器行业在波动中增长

随着全球电子信息产业的迅速发展和需求的脉冲式爆发，全球半导体存储行业在增长中呈现出一定的价格波动性。在历经2023年的周期性调整后，全球存储市场在2024年逐步恢复，市场规模攀升至1,670.5亿美元，同比增幅达81.0%。根据Yole Intelligence最新研究报告，数据中心基建加速、5G和云计算等行业持续增长，叠加半导体供应链修复，三重动能驱动下，市场规模有望于2029年突破2,340亿美元大关。

从中长期来看，半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支，下一代信息技术与存储器技术发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等新一代信息技术既是数据的需求者，也是数据的产生者。面临数据的爆发式增长，市场需要更多的存储器承载海量的数据。

总体而言，随着下游应用场景的不断拓展，终端应用存储容量需求的持续提升，半导体存储器行业呈现出在波动中增长的显著特点。

3）国内半导体存储器厂商迎来发展机遇

根据Gartner报告，国产DRAM芯片市场份额低于5%，NAND Flash芯片市场份额低于10%，发展前景较大。在中国“互联网+”、大力发展新一代信息技术和不断加强先进制造业发展的战略指引下，国内信息化、数字化、智能化进程加快，用户侧的AI、短视频、直播、游戏、社交网络等应用和制造侧的工业智能化逐渐普及，刺激存储芯片的市场需求快速增长。

2014年以来，中国成为全球最大的消费电子市场，并开始扮演全球消费电子行业驱动引擎的角色。此外，5G、物联网、数据中心等新一代信息技术在中国大规模开发及应用，也催生了我国对半导体存储器的强劲需求。以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂依托中国市场广阔需求，市场份额逐步增长。

随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，以佰维存储为代表的半导体存储器研发封测一体化厂商也迎来了发展机遇。

(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况

详见2024年年度报告“第三节 管理层讨论与分析”之“一、经营情况讨论与分析”。

(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

（1）NAND Flash向更高堆叠层数演进

(下转891版)