杭州立昂微电子股份有限公司2025年年度报告摘要

公司代码：605358 公司简称：立昂微

第一节 重要提示

1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到www.sse.com.cn网站仔细阅读年度报告全文。

2、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

3、公司全体董事出席董事会会议。

4、中汇会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

5、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

以实施权益分派股权登记日登记的总股本（扣除回购专户中股份数量）为基数，向全体股东每股派发0.15元现金红利（含税）。截至2026年3月31日，公司总股本为671,377,810股，扣除回购专户中股份数量2,591,500股，现金股利分派的股份基数为668,786,310股，以此计算预计派发现金红利100,317,946.50元（含税）。

如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。

本利润分配预案尚需提交公司股东会审议。

截至报告期末，母公司存在未弥补亏损的相关情况及其对公司分红等事项的影响

□适用 √不适用

第二节 公司基本情况

1、公司简介

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2、报告期公司主要业务简介

（1）业务概况

公司是国内极少数的半导体垂直一体化平台型企业，横跨半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，实现了横向多赛道覆盖与纵向关键环节的深度融合，形成了从前端核心材料到中后端高端芯片的完整产业闭环。

公司三大业务板块一一半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片，如驱动公司发展的“三驾马车”，各自聚焦细分领域，相互支撑、协同发展，已建立起行业领先的市场地位与核心竞争力。三大板块并非孤立的业务单元，而是依托共同的技术底蕴、共享的制造平台与协同的客户资源，形成的有机整体。这种复合型业务架构，共同构建了从硅片到芯片的一站式产品与解决方案平台，精准服务于能源革命、智能计算与无线连接的时代需求，构筑起抵御行业周期波动的战略纵深。

报告期内，公司持续聚焦核心主业，深耕技术创新，优化产品结构，积极把握新能源、汽车电子、新一代通信、卫星互联网、人工智能、机器人、无人机等高景气赛道的战略机遇，推动核心业务稳健发展，整体经营质量与核心竞争力实现持续提升。

半导体硅片业务：公司主营6英寸、8英寸、12英寸半导体硅抛光片及硅外延片，产品覆盖轻掺、重掺、N型、P型等多品类，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、模拟芯片、传感器等领域，下游覆盖新能源汽车、储能、新一代通信、工业控制、人工智能、消费电子、AI服务器和数据中心等高端市场。轻掺硅片具有高电阻率、低缺陷密度、晶体完整性优异的特点，主要作为逻辑芯片、存储芯片、模拟及射频芯片的基础衬底，在产业链中处于芯片制造最前端，决定芯片性能、良率与可靠性，是高端制程不可或缺的核心材料。重掺硅片通过高浓度掺杂实现超低电阻率，主要用于功率器件、高压器件、大电流芯片，能够显著提升器件导通效率与散热能力。8英寸硅片主要面向功率器件、电源管理、汽车电子等成熟工艺平台，12英寸硅片则面向先进制程与高端功率芯片。

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公司半导体硅片业务重点发展8英寸、12英寸重掺硅片与轻掺硅片，其中12英寸硅片已覆盖14nm 以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。

半导体功率器件芯片业务：公司以特色工艺6英寸功率器件芯片为核心，形成SBD（肖特基二极管，沟槽型和平面型）芯片、FRD（快恢复二极管）芯片、MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、TVS（瞬态抑制二极管）芯片等系列化产品布局。产品主要应用于新能源汽车、新能源逆变器、储能变流器、充电桩、工业电源、AI服务器电源、白色家电等场景，是电能转换与功率控制的核心元器件。SBD基于金属-半导体势垒结构，利用肖特基势垒实现低正向压降、超快开关速度，无反向恢复电荷，显著降低开关损耗。在产业链中为功率转换核心芯片，是车载电源、新能源逆变器、快充适配器的关键整流器件，保障系统高效、低噪、高可靠运行。FRD通过特殊掺杂与工艺优化反向恢复特性，兼具高耐压与快速关断能力，适配高频、高压功率回路。作为功率回路核心续流/整流器件，广泛用于新能源汽车电机控制器、新能源逆变器、工业UPS，提升系统效率与稳定性。MOSFET以栅极电压控制沟道导通，输入阻抗高、开关速度快、驱动简单，支持高频、高效功率控制。在产业链中为核心功率开关器件，覆盖新能源汽车OBC、车载DC-DC变换器、新能源组串逆变器、服务器电源，是电能转换与系统控制的核心执行单元。TVS利用雪崩击穿或齐纳击穿特性，在纳秒级吸收浪涌电压，保护后级电路免受过压损坏。作为电路保护核心器件，广泛用于汽车电子控制单元、通信设备、消费电子接口，保障系统在静电、浪涌冲击下安全稳定，是保障系统安全运行的关键基础器件。

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公司半导体功率器件芯片业务重点发展车规级功率器件芯片及高附加值产品，覆盖650V–1200V全电压平台，在新能源与工业控制功率半导体领域形成稳定的市场竞争力。

化合物半导体射频及光电芯片业务：公司主要产品是HBT（异质结双极晶体管）、pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）、VCSEL（垂直腔面发射激光器）及GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，广泛应用于轨道卫星通信（高、中、低）、新一代通信、导航系统、车载激光雷达、智能驾驶、人形机器人、扫地机器人、无人机、光通信及手机终端等高端场景。HBT基于砷化镓异质结，兼具高频率、高功率密度与线性度，适配射频功率放大。作为射频功率核心器件，用于手机射频前端、卫星通信终端、无线基站，保障信号大功率、高效率发射。pHEMT基于砷化镓/铝镓砷异质结构，利用二维电子气实现超高频率、低噪声、高增益，适配毫米波与微波频段。在产业链中为射频前端核心放大器件，用于新一代通信基站、低轨卫星通信、雷达系统，实现信号低噪放大与远距离传输。VCSEL以垂直谐振腔结构，实现单模/多模激光发射，具有低阈值、高调制速率、易阵列集成特性。在产业链中为光电发射核心芯片，用于车载激光雷达、3D传感、数据中心光互联，是智能驾驶、机器视觉的核心感知光源。GaN-on-SiC芯片是以碳化硅为衬底、氮化镓为有源层，结合GaN高频、高功率与SiC高热导率优势，实现高压、高频、高温稳定工作。作为宽禁带射频/功率核心器件，突破硅基器件性能极限，提升系统功率密度与能效，用于新一代通信基站功放、卫星通信、新能源汽车车载电源、工业高频电源，是下一代射频与功率系统的核心升级方向。

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公司化合物半导体射频及光电芯片业务以6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片与VCSEL光电芯片为核心，构建覆盖射频放大、信号发射与光电探测的完整产品体系，具备自主可控的6英寸晶圆制造工艺壁垒，高端产品实现规模化突破。

（2）经营模式

公司采用“半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频及光电芯片”三轮驱动、纵向一体化协同的经营模式，构建完整产业链布局。该模式通过各板块梯次发展与协同驱动，实现短期盈利稳定与长期增长动能结合，区别于单一业务或单一环节企业受行业周期与市场需求波动影响较大的局限。核心逻辑为：依托盈利稳定的中小尺寸硅片产品支撑大尺寸硅片的研发与产业化投入，以具有行业领先水平的重掺硅片业务为牵引带动轻掺硅片业务的技术创新和产能爬坡，持续巩固硅片板块全尺寸竞争优势；同时以成熟的半导体硅片及半导体功率器件芯片业务为基础，为化合物半导体射频及光电芯片业务提供全方位支撑，带动射频及光电芯片业务快速实现技术突破与产能放量，形成“成熟业务稳盈利、攻坚业务快突破、新兴业务高增长”的梯次发展格局。

在此模式下，硅片板块为功率器件芯片板块提供核心衬底材料自主供应，降低原材料采购成本与供应链风险，提升产品交付稳定性；功率器件芯片为硅片板块提供稳定的内部需求、高效的技术反馈和市场资源，消化硅片产能的同时推动硅片产品向定制化、高端化升级，实现“材料与器件的双向赋能”；射频及光电芯片业务的高成长性为公司打开长期成长空间，在卫星互联网、激光雷达、机器人、无人机等终端应用领域占据先发优势。这种全产业链的协同效应是公司的核心价值。

（3）市场地位

公司三大业务板块，凭借产业链上下游整合优势、领先核心技术、优质客户资源及完善产能布局，成功打造协同互补、梯次发展的全链条产业生态，各业务板块构建显著竞争壁垒，均居细分行业龙头地位，在行业内具备较高知名度和品牌影响力。

在半导体硅片领域，公司是国产半导体硅片产业的先行者，是我国较早从事半导体硅片制造的企业之一，在硅片领域拥有完整的自主知识产权，建立了完善的单晶炉热场设计理论和大直径硅单晶生长理论，具备深厚的技术积累与市场基础。在12英寸大硅片方面持续推进研发攻关与产能建设，现已跻身第一梯队，成为支撑国内半导体产业链自主可控的主流供应商。公司作为我国半导体硅片行业领先企业及重掺领域龙头企业，也是国内少数能够同时规模化生产全尺寸半导体硅片的企业之一。2025年，公司全尺寸硅片出货量折合4.78亿平方英寸，约占全球硅片出货量的3.68%。拥有全球产能及市占率最大的6英寸硅片生产基地、国内单体产能规模最大的8英寸硅片生产基地以及国内主要的12英寸硅片生产基地。重掺系列硅片在国内市场占据绝对领先地位，其中8英寸在国内主要客户端的国产采购占比约40%，12英寸重掺砷、重掺磷低电阻产品在国内客户端的国产采购占比超过50%，定价能力与国际巨头相当。重掺锑、超低阻重掺硼、砷烷外延等特殊规格产品在国内实现独家供应。

在半导体功率器件芯片领域，公司作为国内特色工艺路线功率器件芯片制造者，依托自产硅片形成的全链条协同优势，公司构建了特色工艺技术和突出的成本控制能力，实现了从材料到芯片的自主可控。公司车规级产品比例不断提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商；在新能源与工业领域，光伏用控制芯片全球市场占有率超过30%；应用于新能源电控系统的FRD产品成功进入国内某重点逆变器制造厂商的供应链，实现了对其原海外主流供应商的替代升级，成长为该客户的核心供应商。公司产品广泛应用于新能源汽车、储能及工业控制场景，是绿色能源核心器件的赋能者。

在化合物半导体射频及光电芯片领域，公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。此外，公司开发的6英寸GaN-on-SiC晶圆性能已达到国际先进水平，全方位巩固了公司在该领域的核心竞争地位。

（4）所处行业情况

2025年，全球半导体行业逐步走出周期底部，稳步进入复苏上行通道，行业整体景气度持续攀升。WSTS（世界半导体贸易统计组织）数据显示，2025年全球半导体市场规模达7,280亿美元，同比增长15.40%，复苏态势明确。国内半导体产业同步受益于国产替代进程加速与人工智能、新能源、智能驾驶等新兴应用场景的双重驱动，呈现出“高端化、规模化、差异化”的鲜明发展特征，产业竞争力持续提升。

从各细分行业来看，公司所处三大核心领域均呈现差异化高景气发展态势，具体如下：

在半导体硅片领域，2025年全球市场呈现“量增价减”的复苏特征，行业景气度拐点正式显现。SEMI（国际半导体产业协会）分析报告显示，2025年全球硅片出货量同比增长5.80%，达到129.73亿平方英寸，标志着全球硅片出货量正式重回增长通道；但同期硅片销售额同比下滑1.2%至114亿美元，反映出行业价格环境仍处于承压状态。这一“量价背离”态势的形成，主要源于两大因素：一方面，受人工智能应用快速渗透驱动，逻辑芯片用先进外延片与高带宽内存（HBM）用抛光片需求持续强劲，直接拉动整体出货量增长；另一方面，传统半导体应用领域需求依旧疲软，行业整体价格环境尚未得到根本改善，进而导致销售额出现下滑。

在功率半导体领域，2025年全球市场在新能源汽车、储能、工业变频等绿色能源应用的强劲拉动下，保持高速增长态势。根据Global Market Insights（全球市场洞察公司）数据，2025年全球功率半导体市场规模达到557亿美元，其中新能源领域（含新能源汽车、储能）贡献了约40%的市场增长，成为行业增长的核心引擎。中国报告大厅数据显示，2025年中国功率半导体器件市场规模达212亿美元，占全球市场份额的38.20%，近五年复合年增长率达15.60%，市场增长潜力显著。其中，新能源汽车是功率半导体最主要的增长驱动力，据行业测算，纯电动汽车所使用的功率半导体价值量约为传统燃油汽车的5至8倍。中国汽车工业协会发布的数据显示，2025年我国汽车产销量均突破3,400万辆，再创历史新高，其中新能源汽车产销量均超1,600万辆，国内新车销量占比突破50%，直接带动车规级功率器件需求爆发式增长。此外，国家能源局数据显示，2025年全国光伏新增装机3.17亿千瓦，同比增长14%；全国光伏发电装机容量达到12亿千瓦，同比增长35%，新能源领域的快速发展进一步释放了功率半导体的市场需求。

在化合物半导体领域，2025年市场在功率、射频及光电子三大核心应用领域持续积蓄增长动能，发展势头迅猛。根据Fortune Business Insights（财富商业洞察）数据，2025年全球化合物半导体市场规模达到423.60亿美元，行业增长空间广阔。其中，射频芯片领域受益于新一代通信基站建设持续推进、低轨卫星互联网快速发展，需求保持稳步增长；光电芯片则依托智能驾驶（激光雷达）、AI终端（机器人视觉）等新兴场景的爆发式增长，需求激增。QYResearch（恒州博智）数据显示，2025年全球化合物半导体射频芯片市场销售额达到31.58亿美元；中商产业研究院分析数据显示，2025年中国射频前端芯片市场规模已突破1,150亿元，同比增长约15%；中国激光雷达市场规模预计达240.70亿元，同比增长超70%，为化合物半导体产业发展提供了强劲支撑。

总体来看，2025年公司所处行业整体呈现“复苏上行、国产加速、高端突破、协同发展”的发展特点，既为公司发展提供了广阔的市场空间和政策机遇，也带来了技术快速迭代、国际市场竞争加剧等方面的挑战。公司所处的半导体硅片、功率半导体、化合物半导体三大细分行业，均处于行业高景气发展阶段，充分受益于下游新兴赛道需求爆发与国产替代红利，行业发展前景广阔，为公司核心业务的稳健发展奠定了坚实的行业基础。

3、公司主要会计数据和财务指标

3.1近3年的主要会计数据和财务指标

单位：万元 币种：人民币

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3.2报告期分季度的主要会计数据

单位：万元 币种：人民币

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季度数据与已披露定期报告数据差异说明

□适用 √不适用

4、股东情况

4.1报告期末及年报披露前一个月末的普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况

单位: 股

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4.2公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

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4.3公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图

√适用 □不适用

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4.4报告期末公司优先股股东总数及前10 名股东情况

□适用 √不适用

5、公司债券情况

□适用 √不适用

第三节 重要事项

1、公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

报告期内，公司实现营业收入359,091.90万元，同比增长16.12%，其中实现主营业务收入355,130.59万元，同比增长15.93%，创出历史新高。从产品销售金额来看，半导体硅片业务收入267,868.04万元（含对母公司的29,413.74万元），同比增长19.66%，其中12英寸硅片收入85,937.36万元，同比增长65.63%；半导体功率器件芯片业务收入83,931.83万元，同比略有下降，其中FRD芯片收入17,841.78万元，同比增长96.18%；化合物半导体射频及光电芯片业务收入32,744.47万元，同比增长10.84%，其中VCSEL芯片收入4,635.38万元，同比增长723.30%，pHEMT芯片实现收入4,194.60万元，同比增长18.75%。从产品销量情况来看，各业务板块呈现差异化增长与突破性发展态势，高端产品迭代升级与新场景应用拓展成为公司增长的核心引擎。2025年，公司硅片总销量折合6英寸1,939.74万片（含对母公司的248.16万片），同比增长28.22%，其中12英寸销量178.57万片（折合6英寸714.29万片），同比增长61.90%；半导体功率器件芯片销量193.37万片，同比增长6.01%，其中FRD销量22.68万片，同比增长87.04%；化合物半导体射频及光电芯片销量4万片，同比基本持平。

报告期内，公司实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）111,971.85万元，同比增长75.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-14,244.42万元，同比减亏幅度达46.40%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-18,279.28万元，同比减亏幅度达31.27%。

报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润同比大幅减亏，主要得益于半导体硅片板块盈利能力的复苏。随着产品结构持续向高端化迭代升级，半导体硅片业务折合6英寸的平均销售单价自2025年第一季度起呈现逐季提升态势，加之产销规模的稳步扩张，尤其是12英寸硅片产销量实现大幅增长，硅片单位成本亦随之同步下降。在销售价格提升和单位成本下降的双重驱动下，合并口径半导体硅片业务的主营毛利率从2024年度的-1.82%上升至2025年度的5.64%，其中12英寸硅片负毛利率同比收窄显著，主营毛利率从-77.60%大幅收窄至-33.16%。受此影响，硅片业务特别是12英寸硅片本期计提的存货跌价准备金额也大幅缩减。

2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。

□适用 √不适用

证券代码：605358 证券简称：立昂微 公告编号：2026-019

债券代码：111010 债券简称：立昂转债

杭州立昂微电子股份有限公司

关于计提资产减值准备的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。

为更加真实、准确地反映杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“公司”）资产状况和经营成果，根据《企业会计准则》和公司会计政策相关规定，基于谨慎性原则，公司对2025年12月31日合并报表范围内可能存在减值迹象的资产计提了减值准备。具体如下：

一、资产减值准备的计提概况

根据《企业会计准则》和公司相关会计政策，公司对2025年12月31日的各项资产进行了减值迹象的识别和测试，并根据识别和测试的结果，计提了相关资产的减值准备。公司2025年对各项资产计提减值准备合计为13,872.49万元，具体情况如下表：

单位：万元

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二、具体情况说明

（一） 信用减值损失

根据《企业会计准则》和公司相关政策，对于应收票据、应收账款及其他应收款，本公司按应收取的合同现金流量与预期收取的现金流量之间的差额的现值计量其信用损失。当单项应收票据、应收账款及其他应收款无法以合理成本评估预期信用损失的信息时，本公司根据信用风险特征将其划分为若干组合，参考历史信用损失经验，结合当前状况并考虑前瞻性信息，在组合基础上估计预期信用损失。

（二） 资产减值损失

根据《企业会计准则》和公司相关政策，公司的存货按照成本与可变现净值孰低计量。存货可变现净值，是按存货的估计售价减去至完工时估计将要发生的成本、估计的销售费用以及相关税费后的金额。在确定存货的可变现净值时，以取得的确凿证据为基础，同时考虑持有存货的目的以及资产负债表日后事项的影响。当存货高于其可变现净值的，应当计提存货跌价准备。

报告期内，为了适应行业周期波动，同时大力拓展市场份额，公司主要产品售价相比2024年有所下降，与此同时随着公司扩产项目陆续转产，也一并增加了产品的固定成本,导致部分存货出现减值迹象。出于谨慎角度考虑，公司基于目前可获取信息，对存在减值迹象的存货计提了存货跌价准备。

三、计提资产减值准备对公司的影响

公司2025年度计提资产及信用减值准备合计13,872.49万元，导致公司2025年度合并利润总额减少13,872.49万元。本次计提资产减值事项符合《企业会计准则》和相关政策规定，符合公司资产实际情况，能够更加公允地反映公司资产状况，可以使公司的会计信息更加真实可靠，具有合理性，不会影响公司正常经营。

特此公告。

杭州立昂微电子股份有限公司董事会

2026年 4月28日

证券代码：605358 证券简称：立昂微 公告编号：2026-023

债券代码：111010 债券简称：立昂转债

杭州立昂微电子股份有限公司

关于公司2025年度“提质增效重回报”

行动方案的评估暨2026年度“提质增效

重回报”行动方案的公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。

为积极践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“立昂微”）积极贯彻落实2025年度“提质增效重回报”行动方案，现结合公司自身发展战略、经营情况及财务状况，总结2025年度主要工作并制定公司2026年度“提质增效重回报”行动方案。具体内容公告如下：

一、聚焦主营业务，提升经营质量

2025年，依托行业复苏契机，叠加下游客户需求增长与公司市场拓展、产品结构优化的双重驱动，公司主营业务实现高质量增长，公司三大业务板块营收均取得较大增长，企业整体发展态势稳健向好，为后续持续发展筑牢了坚实基础。

（1）公司半导体硅片业务产品结构持续优化，核心竞争力显著增强。6-12英寸功率器件用重掺硅片居国内市场领先地位；12英寸及8英寸重掺磷、重掺砷超低阻衬底外延产品通过客户验证并量产供应，12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量。高端产品表现亮眼，面向AI服务器、数据中心、工业自动化等领域所用12英寸重掺砷/磷外延片销量显著增长，多款产品打破国际垄断。

（2）公司功率器件芯片业务稳步发展，虽整体营收小幅承压，但通过持续优化产品结构，高附加值产品表现突出，实现了高质量发展。FRD芯片表现亮眼，成为业务增长的核心引擎。公司车规级产品比例不断提升，是博世、大陆集团、法格电子、台湾半导体、安世等国际顶级汽车电子厂商的合格供应商，是比亚迪、长城、小米等国内主流车企的供应商。公司产品广泛应用于新能源汽车、储能及工业控制场景，是绿色能源核心器件的赋能者。

（3）公司化合物半导体射频及光电芯片业务盈利能力显著改善，产品结构持续优化，高端应用领域增长为业务注入新活力。与速腾聚创、禾赛科技、瑞识智能等达成战略合作，车规级VCSEL芯片大批量出货，销量0.27万片，同比大增656.82%；pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，销量0.23万片，同比增长26.12%。

2026年，公司将继续聚焦主营业务。生产方面将精准推进产能释放，着力强化规模效益，科学推进衢州、嘉兴12英寸硅片工厂、海宁VCSEL产线等重点项目的产能建设与达产，着力提升各产线产能利用率，通过规模化生产有效摊薄固定成本，增强整体成本竞争力。公司将深化三大板块协同价值，以上游硅片为核心起点，构建可同步为客户提供高效能功率芯片与先进射频及光电芯片的垂直整合平台。依托独特的平台化优势，充分发挥全链条协同的综合效能，精准捕捉三大细分行业交叉领域机遇（如智能汽车领域中同时涉及硅片、功率器件、射频及光电芯片的全品类核心产品需求），最大化释放协同潜力；同时推进技术、产能、供应链深度融合，凭借清晰的产品定位与精准的市场布局，构建稳定高效的营销体系，实现营收与利润稳步增长，强化抗风险能力与长期发展动力，通过扎实的业绩持续提升内在价值。

二、坚持创新驱动，培育新质生产力

公司坚持创新驱动战略，将技术研发作为核心竞争力提升的关键，2025年公司研发投入25,596.43万元。研发技术团队得到有效充实，核心技术突破不断，为企业高质量发展奠定坚实基础。

（1）半导体硅片业务以重掺晶体生长配套外延沉积技术为核心根基，持续巩固领先地位，同步加快重掺磷、重掺砷超低阻产品的迭代开发。其中12英寸重掺砷、12英寸重掺磷衬底外延片等多款产品采用了全球领先的超重掺杂单晶生长技术，满足AI服务器电源对高效率、高功率密度的苛刻工况要求。具有独创性的特色砷烷外延产品获得客户全方位认可，出货量及市场占有率强势攀升；12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量，广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域；全尺寸系列高质量埋层外延产品在客户端验证通过，应用于高频滤波器的超高阻抛光片持续增量。同时全速推进12英寸轻掺硅片的快速上量和新客户拓展。公司12英寸轻掺硅片产品线坚持高端化、差异化发展路线，充分发挥深厚的外延工艺技术积淀，着力构建多元化的产品矩阵，区别于传统轻掺硅片过度集中于特定应用领域的市场格局，已在逻辑电路、BCD工艺、PMIC电源管理等非存储类应用领域形成全系列覆盖。其中，逻辑电路用轻掺硼外延片、BCD工艺PMIC电源用轻掺硼抛光片等相较于普通常规轻掺抛光片具有更高议价能力的核心产品已在客户端快速上量；成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破。

（2）功率器件芯片业务启动车规级产品全维度对标工程，建立与国际标杆的动态对齐机制，重点突破FRD结构优化、SJMOS导通损耗及IGBT开关特性等关键技术，新一代高频低损耗、高可靠性FRD芯片系列化产品在新能源汽车和工业控制领域实现国产替代；全年完成225款新品开发，其中FRD产品占比20%左右；SBD、TVS、MOS各品类新品完成梯度开发与客户验证，其中新能源控制芯片迭代款实现VR提升10%、VF下降2mV的性能优化，产品竞争力显著提升。

（3）化合物半导体射频及光电芯片业务聚焦高频高增益技术路线，推进低成本工艺研发与材料国产化替代双轨并行，在pHEMT方面，公司pHEMT技术可满足不同轨道卫星通信对射频芯片的多样化需求，可适配宇航级芯片、高端专用通信等高可靠应用场景，形成较高技术壁垒和准入优势。在HBT方面，自主开发的第三代LH0Z新工艺采用ICP干法结合湿法刻蚀，实现0.5μm T-Base与Ledge结构，显著降低寄生电容、提升性能与可靠性。在光电芯片方面，背发光透镜VCSEL工艺已完成开发并实现客户送样；二维可寻址大功率VCSEL技术达全球领先水平；相关产品深度赋能车载激光雷达、智能视觉传感领域。整体而言，公司形成了多种类化合物射频器件及高性能光电器件双轮驱动的平台化能力，应用边界持续拓宽，多项工艺具备客户送样与规模量产条件，为下一阶段增长储备了关键技术。

2026年，公司将保持高强度研发投入，聚力突破关键领域技术瓶颈。在半导体硅片业务方面，重点推进12英寸轻掺产品产能爬坡与更先进制程突破，加大超低阻单晶等核心工艺研发。在功率器件业务方面，着力攻克SGT、IGBT、碳化硅基功率芯片、车规级模块及新一代新能源器件的关键技术。在射频及光电芯片业务方面，全力推动VCSEL、GaN-on-SiC等高端工艺的客户导入与量产，优化现有射频工艺平台。公司将完善研发项目制与激励机制，加速技术成果向量产与市场转化。

三、坚持共享成果，积极回报投资者

始终践行“以投资者为本”的发展理念，高度重视股东回报与投资者关系管理工作，努力提升公司经营业绩，增强股东回报能力。制定并实施2025年度 “提质增效重回报”行动方案，聚焦主营业务发展，提升盈利能力，为股东创造更多价值。2025年，公司在修订《公司章程》的过程中优化了现金分红的条件，努力提升投资者获得感和市场认同度。

2026年，公司将按照《公司章程》规定的利润分配政策，坚持持续、稳定的现金分红机制。在全力提升经营质量、推动业绩增长的基础上，统筹好经营发展、业绩增长与股东回报的动态平衡。同时将结合《杭州立昂微电子股份有限公司市值管理制度》，引导上市公司价值理性合理回归内在价值，助力企业良性发展。公司将与广大投资者一起，推动公司市值与经营质量长期匹配，切实维护全体股东权益，与广大股东共同开创价值共享、合作共赢的美好未来。

四、完善公司治理，提升投资者沟通质量

2025年，公司持续完善公司治理制度体系，根据《公司法》及监事会改革专项工作的要求，由董事会审计委员会依法行使原监事会相应职权，增设职工代表董事，并对《公司章程》及配套议事规则、部分管理制度等进行了系统性修订和完善，不断夯实治理基础。公司高度重视与投资者的有效沟通，持续提升信息披露质量与透明度，积极拓展多元化、常态化沟通渠道。公司严格按照《上海证券交易所股票上市规则》等相关法律法规、规章制度的要求履行信息披露义务。2025年，公司通过股东会、业绩说明会、投资者热线、邮箱、上证e互动、现场调研等多种方式，建立并维护与投资者的良性沟通机制。同时探索新媒体传播，通过官方微信公众号定期发布推文，披露半年度报告、季度报告相关的可视化长图、解读视频等内容，让投资者能够直接、全面、清晰地了解公司经营情况和发展现状，助力投资者更好地进行价值判断。

(下转518版)

证券代码：605358 证券简称：立昂微

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。

重要内容提示

公司董事会及董事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人王敏文、主管会计工作负责人吴能云及会计机构负责人（会计主管人员）罗文军保证季度报告中财务信息的真实、准确、完整。

第一季度财务报表是否经审计

□是 √否

一、主要财务数据

(一)主要会计数据和财务指标

单位：万元 币种：人民币

■

(二)非经常性损益项目和金额

√适用 □不适用

单位:元 币种:人民币

■

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号一一非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号一一非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

(三)主要会计数据、财务指标发生变动的情况、原因

√适用 □不适用

■

二、股东信息

(一)普通股股东总数和表决权恢复的优先股股东数量及前十名股东持股情况表

单位：股

■

持股5%以上股东、前10名股东及前10名无限售流通股股东参与转融通业务出借股份情况

□适用 √不适用

前10名股东及前10名无限售流通股股东因转融通出借/归还原因导致较上期发生变化

□适用 √不适用

三、其他提醒事项

需提醒投资者关注的关于公司报告期经营情况的其他重要信息

√适用 □不适用

报告期内，得益于半导体行业景气度的持续复苏，下游客户需求增长及公司加强市场拓展、产品结构优化升级等因素的影响，公司实现营业收入99,938.11万元，同比增长21.81%；剔除利息、折旧摊销等因素的影响后，实现EBITDA（息税折旧摊销前利润）37,203.74万元，同比增长94.37%；实现归属于上市公司股东的净利润722.46万元，上年同期为亏损8,103.58万元，同比扭亏为盈；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1,169.75万元，上年同期为亏损8,125.61万元，公司经营业绩大幅改善。

报告期内，公司半导体硅片实现主营业务收入74,983.19万元（含对立昂微母公司的销售7,399.05万元），同比增长21.44%。从销售数量来看，折合6英寸的半导体硅片销量为558.58万片（含对立昂微母公司的销量65.76万片），同比增长22.03%。

报告期内，公司半导体功率器件芯片实现主营业务收入21,344.53万元，同比下降2.93%。从销售数量来看，销量为52.96万片，同比增长4.34%。

报告期内，公司化合物半导体射频和光电芯片实现主营业务收入10,236.89万元，同比增长92.06%，其中VCSEL（垂直腔面发射激光器）芯片收入1,775.23万元，同比增长561.04%。从销售数量来看，销量为1.33万片，同比增长99.43%。

报告期内，公司整体经营业绩同比扭亏为盈，主要系12英寸硅片产销量大幅增长以及产品结构优化升级带来的12英寸硅片业务大幅减亏所致。

报告期内，公司12英寸硅片实现收入30,318.79万元，同比增长88.12%，其中：12英寸硅外延片收入20,018.15万元，同比增长160.42%；12英寸硅抛光片收入10,300.64万元，同比增长22.19%。高附加值的12英寸硅外延片收入占比由上年同期的47.69%提升到本报告期的66.03%，占比提升18.33个百分点。从销售数量来看，12英寸硅片销量57.76万片，同比增长44.82%，其中：12英寸硅外延片销量25.25万片，同比增长174.17%；12英寸硅抛光片销量32.52万片，同比增长5.99%。12英寸硅片产销量的大幅增长、产能利用率的大幅提升引起产品单位成本同步下降。在产品结构优化升级和单位成本下降的双重驱动下，公司12英寸硅片业务的毛利率从上年同期的-33.12%提升到本报告期的6.70%。

四、季度财务报表

(一)审计意见类型

□适用 √不适用

(二)财务报表

合并资产负债表

2026年3月31日

编制单位：杭州立昂微电子股份有限公司

单位：元 币种:人民币 审计类型：未经审计

■■

公司负责人：王敏文 主管会计工作负责人：吴能云 会计机构负责人：罗文军

合并利润表

2026年1一3月

编制单位：杭州立昂微电子股份有限公司

单位：元 币种:人民币 审计类型：未经审计

■

本期发生同一控制下企业合并的，被合并方在合并前实现的净利润为：0元，上期被合并方实现的净利润为：0 元。

公司负责人：王敏文 主管会计工作负责人：吴能云 会计机构负责人：罗文军

合并现金流量表

2026年1一3月

编制单位：杭州立昂微电子股份有限公司

单位：元 币种：人民币 审计类型：未经审计

■

公司负责人：王敏文 主管会计工作负责人：吴能云 会计机构负责人：罗文军

(三)2026年起首次执行新会计准则或准则解释等涉及调整首次执行当年年初的财务报表

□适用 √不适用

特此公告

杭州立昂微电子股份有限公司董事会

2026年4月27日

杭州立昂微电子股份有限公司2026年第一季度报告