江苏微导纳米科技股份有限公司2026年第一季度报告

公司代码：688147 公司简称：微导纳米

转债代码：118058 转债简称：微导转债

江苏微导纳米科技股份有限公司2025年年度报告摘要

第一节 重要提示

1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到www.sse.com.cn网站仔细阅读年度报告全文。

2、重大风险提示

公司已在2025年年度报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅2025年年度报告第三节 管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。

3、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

4、公司全体董事出席董事会会议。

5、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6、公司上市时未盈利且尚未实现盈利

□是 √否

7、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

公司拟向全体股东每10股派发现金红利1.44元（含税）。截至第三届董事会第四次会议通知日（2026年4月18日），公司总股本461,158,671股，以扣减回购专用证券账户中股份总数3,705,500股后的股本457,453,171股为基数，以此计算合计拟派发现金红利65,873,256.62元（含税）。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。

上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东会审议。

母公司存在未弥补亏损

□适用 √不适用

8、是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用 √不适用

第二节 公司基本情况

1、公司简介

1.1公司股票简况

√适用 □不适用

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1.2公司存托凭证简况

□适用 √不适用

1.3联系人和联系方式

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2、报告期公司主要业务简介

2.1主要业务、主要产品或服务情况

微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。

在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。

在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

作为国家高新技术企业，公司先后荣获工信部“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号。公司拥有七个国家级、省级研发平台，包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等，并承担了多项国家、省级重大科技专项。

公司以“创新驱动，引领未来，为客户创造价值”为使命，不断引领行业技术创新，成立至今已开发多款高端薄膜沉积设备并成功实现产业化。公司iTomic HiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备入选江苏省首台（套）重大装备产品目录，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，多款半导体设备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。

公司生产研发的主要设备，具体如下：

（1）公司半导体领域主要产品

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注：1、随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则；

2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已进行试样验证，下同。

（2）公司光伏领域主要产品

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（3）其他新兴应用领域主要产品

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除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。

①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。

②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。

2.2主要经营模式

（1）盈利模式

公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。

（2）采购模式

公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。

（3）生产模式

公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。

（4）销售模式

公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。

（5）研发模式

公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。

报告期内，公司主要经营模式未发生变化。

2.3所处行业情况

(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

公司生产的薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具备光学、电学、机械和化学等方面的特殊性能，广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。

● 半导体行业薄膜沉积设备行业

薄膜沉积设备是集成电路制造的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。

半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。

在AI等新兴应用推动下全球半导体市场有望在2030年突破1万亿美元市场规模

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来源：SIA,Applied Materials –SMI;2030 Forecasts:TechInsights

晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额的18%以上。

晶圆厂设备投资构成

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来源：SEMI、Gartner、天风证券

薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更先进制程发展。随着单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。Maximize Market Research预计2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达559亿美元，同比推算国内市场规模将达162亿美元。

2019-2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模及预测（亿美元）

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数据来源：Maximize Market Research

半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场份额，国产化趋势明显。

半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(Applied Materials,Inc.)、泛林半导体LAM(Lam Research Corporation)、东京电子TEL(Tokyo Electron Limited)、先晶半导体ASM(ASM International)等传统设备厂商占有主要市场份额。

近年来，随着国家重大专项、集成电路产业投资基金等战略举措的持续推动，以及部分民营企业的快速崛起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并不断完善。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，且实际应用场景仍较为有限。

面对全球供应链不确定性以及国内晶圆厂商对供应链安全的高度重视，对国产半导体设备的需求持续增长，国产半导体设备验证与导入进程明显加快。国家政策的持续加码和产业需求的拉动，为本土半导体设备企业提供了前所未有的发展契机。作为国内半导体薄膜沉积领域的核心企业之一，公司凭借在ALD技术和CVD技术等领域的深厚积累，在国产中高端薄膜设备领域占据了先发优势。

● 光伏薄膜沉积设备行业

薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，在“双碳”战略目标驱动下，市场前景广阔。

光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。

全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模持续增长，根据CPIA数据显示，2025年国内光伏发电新增装机达到315.07GW，同比增长约13%，累计并网装机容量创历史新高。2025年全国光伏电池产量超过660GW。短期来看，行业供需结构性失衡问题仍存，行业整合正加速推进。长期来看，在全球能源转型与“双碳”目标纵深推进的时代浪潮中，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。

光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。

光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。

目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向，钙钛矿及钙钛矿叠层电池则是下一代光伏电池技术的重要发展方向，被视为突破晶硅电池效率极限、推动光伏发电成本进一步下降的前沿技术路线。BC、钙钛矿等前沿技术加速迭代驱动结构性调整，新兴场景与市场将提供新的增长空间，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。

● 其他新兴应用领域

原子层沉积（ALD）技术作为一项具有产业前瞻性与共性的关键核心技术，产业化应用场景广泛。除已形成巨大市场规模的半导体、光伏领域外，还在固态电池、柔性电子、高端光学等新兴应用领域同样具备明确的产业化前景与强劲的增长潜力。这些新兴应用领域内新技术的产业化，能为公司发展开辟新的增长空间。

ALD技术在固态电池领域的应用前景与市场机遇。

固态电池因其在本征安全性与能量密度提升方面的显著优势，被广泛视作下一代动力电池的核心发展方向。然而，其产业化进程受制于正负极与固态电解质间固-固界面接触失效、界面阻抗过高以及锂枝晶生长等关键瓶颈，这些难题直接影响了电池的倍率性能与循环寿命。

ALD技术凭借其亚纳米级膜厚控制能力、出色的三维共形性及薄膜的高致密性，为解决上述瓶颈提供了有效的技术路径。具体而言，ALD技术可应用于固态电解质（SE）薄膜的制备与致密化，以降低漏电流；正极/电解质及负极/电解质界面的人工缓冲层构筑，以降低界面阻抗并抑制副反应；超薄锂金属负极的原位保护，以抑制枝晶穿刺。这些应用对于提升固态电池的库伦效率与循环稳定性至关重要。

随着固态电池技术逐步从研发走向量产试点，其对应的专用制造设备市场有望迎来高速增长。根据EVTank等研究机构预测，全球全固态电池设备市场规模预计将从2024年的基数较小的导入期，以超过150%的年均复合增长率（CAGR）快速攀升，至2030年有望达到455亿元人民币。这一爆发式增长预期，不仅印证了固态电池产业的巨大潜力，也为ALD技术在新能源镀膜领域的规模化应用提供了战略窗口期。

硅基OLED在VR/AR等行业已实现量产，正快速成为微显示产业中应用最广泛的技术类型，市场前景广阔且发展迅速。

硅基OLED作为新型显示技术之一，凭借尺寸小、便携性强、对比度高、响应速度快、功耗低等突出特点，主要应用于近眼显示系统（如VR/AR设备）、微型投影显示、车载显示等高端场景。其中，薄膜沉积环节是影响硅基OLED规模化量产、显示性能提升的关键技术之一，直接影响器件的发光效率、寿命与稳定性。

ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关键薄膜的沉积需求。随着VR/AR、车载显示等下游市场的快速扩张，硅基OLED需求将持续攀升，进而带动相关设备与技术的市场需求增长，为公司带来新的业务增长点。

(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况

在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。

在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。

根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

● 半导体薄膜沉积设备技术发展情况和趋势

半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的尺寸、结构密切相关。在摩尔定律的推动下，器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，进而使集成电路制造工序愈为复杂，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。同时，随着线宽不断缩小，晶体管密度越接近物理极限，单纯依靠提高制程来提升集成电路性能将变得越来越难，并且成本也在指数级攀升，因此集成电路目前已进入“后摩尔时代”。当前，制造工艺正向着小型化、多样化和高能效、功能化方向发展，各类新器件、新构架、新材料、新工艺、新设备不断涌现。这一发展趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜沉积设备的依赖逐渐增加。

半导体领域内PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代，共同满足先进半导体器件技术发展的需要

半导体领域常见的薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。由于半导体领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变及材料需求升级，薄膜沉积工艺和设备不断迭代。根据薄膜制备的基础原理不同，薄膜沉积设备可分为多种技术路线，其中PVD、CVD、ALD等三类薄膜沉积技术为目前半导体领域的主流技术路线。

在芯片制造过程中，需涉及十余种不同材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，对薄膜的性能和材料需求呈现多元化特征。因此，PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依托各自技术特点拓展适合的应用领域，材料制备上相互补充，同时各自伴随下游应用需求的提升持续优化升级。

PVD、CVD、ALD薄膜沉积效果示意图

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ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器件中应用较少，2007年Intel公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法满足部分工序要求。ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等半导体薄膜沉积环节具有较好的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：

半导体薄膜沉积技术的演进过程

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在人工智能技术（AI）为核心驱动的新一轮半导体周期中，ALD技术等尖端薄膜沉积技术对满足半导体器件新架构、新工艺和新材料的需求具有不可替代的关键性作用

随着人工智能（AI）在大数据计算、图像识别与生成、医学诊断与研究、娱乐和软件等产业中的应用加速发展，市场对计算能力的需求日益增长，推动了半导体器件不断提高运行速度、降低能耗。进而促使逻辑芯片内部晶体管结构的微缩、存储器3D结构化和先进封装应用等新架构、新工艺和新材料的需求不断涌现。

半导体器件结构的复杂化和微型化对薄膜沉积提出了原子级的精度要求。ALD技术凭借其三维共形性、大面积成膜均匀性和精确膜厚控制的优异特性，成为满足这些要求的关键技术。过去多年，ALD设备市场规模增长速率在各类关键晶圆生产设备中位居首位。

ALD技术在逻辑芯片、DRAM、3D NAND、新型存储器、先进封装等领域的前沿应用中优势的具体表现如下：

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目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为技术发展所必需的工艺设备。随着国内半导体产业技术的持续升级，ALD设备的必要性更加凸显。

CVD薄膜沉积技术覆盖了集成电路前道制造过程中大部分沉积工艺，市场规模最大，CVD设备尤其是高端CVD设备在芯片制造过程中具有不可替代的作用

CVD设备广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，并与其他类型薄膜沉积设备互相补充。根据SEMI数据，在全球薄膜沉积设备市场中，LPCVD、PECVD等CVD技术路线合计占据最高的市场份额。

近年来，随着我国半导体制造体系和产业生态建立和逐步完善，包括CVD在内的薄膜沉积设备国产化进程已取得显著进展。但在先进制程及关键工艺环节，高端半导体薄膜沉积设备的国产化率仍处于较低水平，应用场景相对有限，仍有大量高端CVD设备待国产化。因此，半导体领域内关键工艺的高端CVD设备的产业化具有良好的市场前景。

公司半导体薄膜沉积技术的发展情况

公司半导体ALD和CVD设备技术发展方向，契合国内半导体各细分领域工艺升级趋势，在逻辑芯片、存储芯片、先进封装、新型显示和化合物半导体等领域均有布局，并取得了阶段性技术突破与产业化进展，具体情况如下：

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● 光伏薄膜沉积设备技术发展情况

（下转874版）

证券代码：688147 证券简称：微导纳米

转债代码：118058 转债简称：微导转债

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

重要内容提示

公司董事会及董事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人（会计主管人员）保证季度报告中财务信息的真实、准确、完整。

第一季度财务报表是否经审计

□是√否

一、主要财务数据

(一)主要会计数据和财务指标

单位：元 币种：人民币

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(二)非经常性损益项目和金额

√适用 □不适用

单位:元 币种:人民币

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对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号一一非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号一一非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

(三)主要会计数据、财务指标发生变动的情况、原因

√适用 □不适用

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二、股东信息

(一)普通股股东总数和表决权恢复的优先股股东数量及前十名股东持股情况表

单位：股

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注：1、前10名股东中存在回购专户，未纳入前10名股东列示。报告期末，江苏微导纳米科技股份有限公司回购专用证券账户持有公司股份3,705,500股，占比0.80%；2、股东西藏万海盈创业投资合伙企业（有限合伙）、LI, WEI MIN、无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）的部分股份状态为冻结，系开展询价转让业务所致。

持股5%以上股东、前10名股东及前10名无限售流通股股东参与转融通业务出借股份情况

□适用 √不适用

前10名股东及前10名无限售流通股股东因转融通出借/归还原因导致较上期发生变化

□适用√不适用

三、其他提醒事项

需提醒投资者关注的关于公司报告期经营情况的其他重要信息

□适用 √不适用

四、季度财务报表

(一)审计意见类型

□适用√不适用

(二)财务报表

资产负债表

2026年3月31日

编制单位：江苏微导纳米科技股份有限公司

单位：元 币种:人民币 审计类型：未经审计

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公司负责人：王磊 主管会计工作负责人：俞潇莹 会计机构负责人：俞潇莹

利润表

2026年1一3月

编制单位：江苏微导纳米科技股份有限公司

单位:元 币种:人民币 审计类型：未经审计

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公司负责人：王磊 主管会计工作负责人：俞潇莹 会计机构负责人：俞潇莹

现金流量表

2026年1一3月

编制单位：江苏微导纳米科技股份有限公司

单位:元 币种:人民币 审计类型：未经审计

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公司负责人：王磊 主管会计工作负责人：俞潇莹 会计机构负责人：俞潇莹

2026年起首次执行新会计准则或准则解释等涉及调整首次执行当年年初的财务报表

□适用 √不适用

特此公告

江苏微导纳米科技股份有限公司董事会

2026年4月29日