武汉高德红外股份有限公司
2019年第二次临时股东大会决议公告
证券代码：002414 证券简称：高德红外 公告编号：2019-038
武汉高德红外股份有限公司
2019年第二次临时股东大会决议公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
特别提示：
1、本次股东大会无否决或修改提案的情况；
2、本次会议不涉及变更前次股东大会决议，也没有新提案提交表决；
3、本次会议采取现场会议和网络投票相结合的表决方式召开；
4、本次股东大会审议的议案属特别决议事项，已经股东大会出席会议的股东所持表决权的三分之二以上通过。
一、会议召开情况
1、会议召开时间：
（1）现场会议：2019年6月3日14:30；
（2）网络投票：2019年6月2日-2019年6月3日。
其中，通过深圳证券交易所交易系统进行网络投票的具体时间为：2019年6月3日上午9:30-11:30，下午13:00-15:00；通过深圳证券交易所互联网投票系统投票的具体时间为：2019年6月2日15:00至2019年6月3日15:00期间的任意时间。
2、现场会议召开地点：武汉市东湖开发区黄龙山南路6号武汉高德红外股份有限公司会议室。
3、召开方式：现场投票和网络投票相结合。
4、召集人：武汉高德红外股份有限公司董事会。
5、股权登记日：2019年5月28日。
6、主持人：公司董事王福元先生。
7、本次股东大会召集、召开程序符合有关法律、行政法规、部门规章、规范性文件和公司章程的规定。
二、会议出席情况
出席本次股东大会的股东及股东代表共6名，代表有表决权的股份数627,956,269股，占公司股份总额的67.06%。其中，通过现场和网络参加本次股东大会的持股5%以下的中小股东共计2名，代表公司股份698,458股，占公司股份总额的0.07%。具体如下：
1、出席本次会议现场会议的股东及股东代表5名，代表有表决权的股份数627,931,269股，占公司股份总额的67.06%；
2、通过网络投票的股东1名，代表有表决权的股份25,000股，占公司股份总额的0.0027%。
公司部分董事、监事、高级管理人员出席了现场会议,北京大成（武汉）律师事务所齐剑天律师和郑勇律师出席了本次股东大会进行见证，并出具了法律意见书。
三、议案审议表决情况
本次股东大会以现场投票和网络投票相结合的方式对以下议案做出表决：
审议通过《关于变更注册资本及修订〈公司章程〉的议案》。
表决结果：同意627,956,269股，占出席会议有表决权股份总数的100.00%；反对0股，占出席会议有表决权股份总数的0.00%；弃权0股，占出席会议有表决权股份总数的0.00%，审议通过。
其中，持股 5%以下的中小股东表决情况：同意股份698,458股，占出席会议中小股东所持有表决权股份总数的100%；反对股份0股，占出席会议中小股东所持有表决权股份总数的0.00%；弃权股份0股，占出席会议中小股东所持有表决权股份总数的0.00%。
四、律师出具的法律意见
北京大成（武汉）律师事务所指派齐剑天律师和郑勇律师出席本次会议，认为公司2019年第二次临时股东大会的召集和召开程序、召集人和出席会议人员资格及表决程序等事宜，均符合法律、行政法规、规章及《公司章程》的有关规定。本次股东大会通过的各项决议合法有效。
五、备查文件
1、经与会董事签字确认并加盖董事会印章的公司2019年第二次临时股东大会决议；
2、北京大成（武汉）律师事务所出具的《关于武汉高德红外股份有限公司2019年第二次临时股东大会的法律意见书》。
特此公告。
武汉高德红外股份有限公司
董事会
二○一九年六月三日
证券代码：002414 证券简称：高德红外 公告编号：2019-039
武汉高德红外股份有限公司
关于碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目
通过科技成果评价的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
近日，国家技术转移中部中心组织行业专家对武汉高德红外股份有限公司（以下简称“公司”）研制的“1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价。专家组听取了项目的研制成果汇报、技术报告、应用报告及经济效益和社会效益分析报告，观看了成果演示，经过质询和讨论，评价专家组一致同意公司该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。
一、评价意见
评价专家组认为：公司提供的资料齐全、完整，符合评价要求；高德公司研制的1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片，经华东电子测量仪器研究所光电计量校准中心测试，主要技术性能指标达到或优于国际同类产品指标；该项目是典型的高新技术军民两用产品，具有良好的社会效益和经济效益前景。
评价专家组一致认为该成果整体达到国际先进水平，该项成果具备红外探测器产业化的基础，建议进一步加快延伸开发及推广应用。
二、技术突破的意义及对公司未来影响
本次公司研制的1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞中波制冷型红外焦平面阵列探测器芯片项目的评审通过，是公司继掌握非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。
1、公司研制的1280×1024规模、12μm像元尺寸的制冷型探测器芯片使用的敏感材料、最大面阵及最小像元等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平，大幅提升了红外热像仪系统的空间分辨率，提高了探测距离、识别距离，大力推动了红外焦平面探测器芯片技术朝大面阵规格、小像元尺寸方向发展，为我国关键基础材料和核心元器件技术的快速发展提供重要保障。
2、结合公司现已建成的制冷探测器芯片批产线优势，该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片的研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标，为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代，有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。
三、风险提示
公司募集资金投资项目建设的制冷型碲镉汞及Ⅱ类超晶格红外探测器产业 化项目现正处于产业化建设阶段，经济效益需要一定时间才能体现。公司将根据 制冷型碲镉汞红外探测器产业化项目建设进展情况及时进行公告，公司提示投资者注意投资风险。
特此公告。
武汉高德红外股份有限公司
董事会
二○一九年六月三日
